公开(公告)号：CN113299805A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110569721.4

申请日：2021-05-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  欧阳雨微 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。

公开(公告)号：CN113299805B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110569721.4

申请日：2021-05-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  欧阳雨微 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。