公开(公告)号：CN109234680B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201811310771.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  吕未 ,  吴冰 ,  游雨蒙

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/02 ,  H01L41/45 ,  H01L41/193

Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。

公开(公告)号：CN109234680A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811310771.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  吕未 ,  吴冰 ,  游雨蒙

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/02 ,  H01L41/45 ,  H01L41/193

Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。