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公开(公告)号：CN109234680B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201811310771.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L41/45 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。
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公开(公告)号：CN107230615B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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公开(公告)号：CN107230615A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/41725 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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公开(公告)号：CN109234680A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811310771.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L41/45 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。
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