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公开(公告)号：CN107109697A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480077741.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B23/06 , C23C14/12 , C30B23/002 , C30B29/54 , H01L51/001 , H01L51/0074 , H01L51/0558
Abstract: 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华时的温度，其中源温度高于衬底温度；将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；控制生长时间，压强及沉积温度，那么就可以在衬底上沉积所需目标厚度和形态的晶体层；外延的超薄的有机半导体晶体层总共有几个分子层甚至单分子的厚度。进一步地，阐明了这种方法制备的层状结构及使用其制备逻辑门。
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公开(公告)号：CN107109697B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480077741.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B23/06 , C23C14/12 , C30B23/002 , C30B29/54 , H01L51/001 , H01L51/0074 , H01L51/0558
Abstract: 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华时的温度，其中源温度高于衬底温度；将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；控制生长时间，压强及沉积温度，那么就可以在衬底上沉积所需目标厚度和形态的晶体层；外延的超薄的有机半导体晶体层总共有几个分子层甚至单分子的厚度。进一步地，阐明了这种方法制备的层状结构及使用其制备逻辑门。
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