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公开(公告)号:CN105206642A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201510664592.1
申请日:2015-10-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L27/156 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种超高密度LED显示器件,包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列,芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本发明采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out Wafer-Level Package,FOWLP),减小了封装面积,提高了LED显示屏的分辨率;各LED芯片为结构和发光波段相同的同种LED芯片,通过在LED芯片上利用芯片自身发光固化的方式分别涂敷红光、绿光和蓝光荧光粉,使其分别发红光、绿光以及蓝光,从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致,改善显示屏的显色性能;本发明可以实现像素点间距小于1mm乃至小于0.1mm,实现LED显示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能,在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。
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公开(公告)号:CN205104491U
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201520792707.0
申请日:2015-10-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种超高密度LED显示器件,包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列,芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本实用新型采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out Wafer-Level Package,FOWLP),减小了封装面积,提高了LED显示屏的分辨率;各LED芯片为结构和发光波段相同的同种LED芯片,通过在LED芯片上利用芯片自身发光固化的方式分别涂敷红光、绿光和蓝光荧光粉,使其分别发红光、绿光以及蓝光,从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致,改善显示屏的显色性能;本实用新型可以实现像素点间距小于1mm乃至小于0.1mm,实现LED显示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能,在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。
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