公开(公告)号：CN109918857B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910316477.3

申请日：2019-04-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  王蕊 ,  雷建明 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件适用的高频动态损耗的非线性分段时序模型建立方法。根据器件开关过程中不同时段电学参数状态，具体分为开通、关断、开启变换和关断变换四个阶段计算损耗。建模过程中，考虑了器件特有的高频工作下动态阻抗增大的问题，并通过搭建电路，实现器件高频工作时影响动态导通阻抗变化的参数准确提取；建模过程中，本发明采用栅电荷替代器件输出电容直接计算损耗的方法，避免了电容容值随电压变化造成的复杂、不精确计算。此外，发明首次通过在器件外部的漏极和源极之间并联外部电容，来比较器件漏极电流与实际沟道电流的差异，分析差异产生的具体来源和对开关损耗的真实影响，以此实现了模型的损耗计算的修正。

公开(公告)号：CN116054801A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211722412.7

申请日：2022-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  曹翔 ,  雷建明 ,  彭扬虎 ,  韩畅 ,  王蕊 ,  郭慧

IPC: H03K17/687 ,  H03K7/08

Abstract: 本发明公开了一种新一代GaN功率器件的有源栅极驱动电路，该电路在栅极驱动回路中引入一个悬浮式脉冲电路，将传统的电压式驱动转变成电流式驱动，从而消除栅极路径中寄生电感的影响。同时，采用两段式栅极驱动电压，在提高栅压的同时保证器件的工作可靠性。另外，提升器件在关断时的电压，降低器件反向导通压降。最终，这种新型栅极驱动方案能够将GaN功率器件的工作频率提升至1MHz以上，并提高器件的高频工作效率超10％。

公开(公告)号：CN109918857A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910316477.3

申请日：2019-04-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  王蕊 ,  雷建明 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件适用的高频动态损耗的非线性分段时序模型建立方法。根据器件开关过程中不同时段电学参数状态，具体分为开通、关断、开启变换和关断变换四个阶段计算损耗。建模过程中，考虑了器件特有的高频工作下动态阻抗增大的问题，并通过搭建电路，实现器件高频工作时影响动态导通阻抗变化的参数准确提取；建模过程中，本发明采用栅电荷替代器件输出电容直接计算损耗的方法，避免了电容容值随电压变化造成的复杂、不精确计算。此外，发明首次通过在器件外部的漏极和源极之间并联外部电容，来比较器件漏极电流与实际沟道电流的差异，分析差异产生的具体来源和对开关损耗的真实影响，以此实现了模型的损耗计算的修正。