公开(公告)号：CN118299901A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410256839.5

申请日：2024-03-06

申请人： 南京大学

发明人： 张彩虹 ,  田达 ,  范克彬 ,  吴敬波 ,  金飚兵 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC分类号： H01S1/02 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16

摘要： 本发明公开一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器及幅值增强方法，具体涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供反铁磁自旋电子太赫兹发射器包括单晶衬底、反铁磁材料层和重金属材料层。通过使用加热的方法，能够使反铁磁材料层与重金属材料层之间的界面平整，达到增强反铁磁自旋电子太赫兹波发射器输出的太赫兹波幅值的目的。反铁磁自旋电子太赫兹波发射器具有稳定、抗外磁场干扰等优势，通过加热实现界面的优化，丰富了现有对自旋电子太赫兹波发射器的调控手段，可以实现基于反铁磁的自旋电子学器件的大规模集成。