公开(公告)号：CN116111977A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310169416.5

申请日：2023-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 程晓燕 ,  张勇 ,  陈鹏程 ,  顼晓仪 ,  马嘉男 ,  毛丹健

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H3/10 ,  G06F30/17 ,  G06F30/20 ,  H10N30/00 ,  H10N30/87 ,  H10N30/06 ,  H10N30/045

Abstract: 本发明公开了一种高频声表面波器件及其制备方法，高频声表面波器件包括压电超晶格和位于压电超晶格表面的表面电极，所述压电超晶格具有周期为T的正负交替排列的亚微米铁电畴结构，所述表面电极为两条平行电极。制备高频声表面波器件时首先通过仿真获取压电超晶格的铁电畴参数和表面电极参数；然后基于仿真畴结构参数通过飞秒激光加工生成亚微米周期的压电超晶格；并按照表面电极参数生成表面电极。本发明的高频声表面波器件具有频率高，制备简单的优点。