一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN112456434A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011226273.X

    申请日:2020-11-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法,在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射,生长Nb5N6热敏薄膜;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制天线图形,磁控生长Au薄膜后,剥离出电极;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形,通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6,形成Nb5N6薄膜微桥;在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶,通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口,通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2,通过反应离子分步刻蚀法,先刻蚀掉窗口的部分Si,再横向刻蚀微桥下方,形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。

    一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN112456434B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202011226273.X

    申请日:2020-11-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法,在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射,生长Nb5N6热敏薄膜;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制天线图形,磁控生长Au薄膜后,剥离出电极;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形,通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6,形成Nb5N6薄膜微桥;在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶,通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口,通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2,通过反应离子分步刻蚀法,先刻蚀掉窗口的部分Si,再横向刻蚀微桥下方,形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。

    一种集成硅光子晶体波导的太赫兹探测器

    公开(公告)号:CN112747820B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202011541647.7

    申请日:2020-12-23

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出了一种集成硅光子晶体波导的太赫兹探测器,包括二维光子晶体平板、渐变耦合输入波导、线缺陷传输波导、多个L3型光子微腔,以及多个太赫兹探测器,其中:二维光子晶体平板由若干晶体单元组成,每个晶体单元上晶格周期排列形成三角晶格结构,不同的晶体单元上水平晶格常数不同,而垂直晶格常数相同,以此保持晶体单元分块的水平拼接对应;每个晶体单元上设置一个L3型光子微腔,每个L3型光子微腔上设置一个太赫兹探测器,各个晶体单元通过线缺陷传输波导连接,二维光子晶体平板通过渐变耦合输入波导与外接输入波导连接。本发明能够同时检测多个频段的太赫兹信号。

    一种集成硅光子晶体波导的太赫兹探测器

    公开(公告)号:CN112747820A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011541647.7

    申请日:2020-12-23

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出了一种集成硅光子晶体波导的太赫兹探测器,包括二维光子晶体平板、渐变耦合输入波导、线缺陷传输波导、多个L3型光子微腔,以及多个太赫兹探测器,其中:二维光子晶体平板由若干晶体单元组成,每个晶体单元上晶格周期排列形成三角晶格结构,不同的晶体单元上水平晶格常数不同,而垂直晶格常数相同,以此保持晶体单元分块的水平拼接对应;每个晶体单元上设置一个L3型光子微腔,每个L3型光子微腔上设置一个太赫兹探测器,各个晶体单元通过线缺陷传输波导连接,二维光子晶体平板通过渐变耦合输入波导与外接输入波导连接。本发明能够同时检测多个频段的太赫兹信号。

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