公开(公告)号：CN112456434B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202011226273.X

申请日：2020-11-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 涂学凑 ,  陈博严 ,  蒋成涛 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射，生长Nb5N6热敏薄膜；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6，形成Nb5N6薄膜微桥；在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。

公开(公告)号：CN112456434A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011226273.X

申请日：2020-11-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 涂学凑 ,  陈博严 ,  蒋成涛 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射，生长Nb5N6热敏薄膜；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6，形成Nb5N6薄膜微桥；在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。