公开(公告)号：CN1606233A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410064686.7

申请日：2004-09-20

申请人： 南京大学

发明人： 康琳 ,  吴培亨 ,  谢仁乃

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H01L41/08

摘要： 本发明公开了一种基于NbN、AlN单晶薄膜制备技术的多层异质结构组成的体声波器件。采用射频磁控溅射和MOCVD的方法，以MgO单晶基片作为薄膜生长的种子层，在其上外延生长SiC、MgO、NbN、AlN多层异质外延薄膜，用微加工技术手段制备成器件。它包括MgO单晶衬底基片，NbN/AlN/NbN三层外延结构为体声波谐振器，其中NbN为器件电极；MgO、SiC和NbN外延薄膜组成的多层异质结构为体声波器件的布拉格反射器。本发明晶格失配小、能量损耗低，是一种具有极大实用价值和经济价值的体声波器件，广泛适用于微电子材料领域中。

公开(公告)号：CN100442659C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410064686.7

申请日：2004-09-20

申请人： 南京大学

发明人： 康琳 ,  吴培亨 ,  谢仁乃

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H01L41/08

摘要： 本发明公开了一种基于NbN、AlN单晶薄膜制备技术的多层异质结构组成的体声波器件。采用射频磁控溅射和MOCVD的方法，以MgO单晶基片作为薄膜生长的种子层，在其上外延生长SiC、MgO、NbN、AlN多层异质外延薄膜，用微加工技术手段制备成器件。它包括MgO单晶衬底基片，NbN、AlN与NbN三层外延结构为体声波谐振器，其中NbN为器件电极；MgO、SiC和NbN外延薄膜组成的多层异质结构为体声波器件的布拉格反射器。本发明晶格失配小、能量损耗低，是一种具有极大实用价值和经济价值的体声波器件，广泛适用于微电子材料领域中。