公开(公告)号：CN103852951B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410055784.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张培 ,  张晓伟 ,  谭大猛 ,  绪欣 ,  李伟 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G02F1/355

Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4‑16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。

公开(公告)号：CN103852951A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410055784.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张培 ,  张晓伟 ,  谭大猛 ,  绪欣 ,  李伟 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G02F1/355

Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4-16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。