公开(公告)号：CN112510166B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011299501.6

申请日：2020-11-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  陶鎏 ,  赵慧娟

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用，属于有机半导体光电材料领域。该有机发光超晶格薄膜为由两种二维有机分子在衬底表面交替外延生长形成的有机发光薄膜，二维有机分子选自苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐、N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四甲酰二亚胺、N,N'‑二辛基‑3,4,9,10‑苝二甲酰亚胺和3,4,9,10‑四甲酰二亚胺。其制备方法为：将第一种二维有机分子的生长源材料和衬底置于管式炉不同位置，在衬底表面外延生长第一层有机发光薄膜；将生长源材料替换为第二种二维有机分子，生长第二层有机发光薄膜；重复替换生长源材料，交替生长出多层有机发光薄膜，即得有机发光超晶格薄膜。该有机发光超晶格薄膜具有高质量、高发光强度，可用作有机发光场效应晶体管的发光层。

公开(公告)号：CN112510166A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011299501.6

申请日：2020-11-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  陶鎏 ,  赵慧娟

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用，属于有机半导体光电材料领域。该有机发光超晶格薄膜为由两种二维有机分子在衬底表面交替外延生长形成的有机发光薄膜，二维有机分子选自苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐、N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四甲酰二亚胺、N,N'‑二辛基‑3,4,9,10‑苝二甲酰亚胺和3,4,9,10‑四甲酰二亚胺。其制备方法为：将第一种二维有机分子的生长源材料和衬底置于管式炉不同位置，在衬底表面外延生长第一层有机发光薄膜；将生长源材料替换为第二种二维有机分子，生长第二层有机发光薄膜；重复替换生长源材料，交替生长出多层有机发光薄膜，即得有机发光超晶格薄膜。该有机发光超晶格薄膜具有高质量、高发光强度，可用作有机发光场效应晶体管的发光层。