公开(公告)号：CN110047956A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910336655.9

申请日：2019-04-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  邓志杰 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，包括依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、阻挡层、掺杂层、过渡层，过渡层上设有吸收层，在吸收层上刻蚀出双台面结构，在吸收层及双台面结构上沉积钝化层，在钝化层上开窗口，窗口处设置欧姆接触层、肖特基接触层，在器件表面依次设置绝缘层a、挡光层和绝缘层b，并且开孔使欧姆接触层和肖特基接触层露出。并公开了其制备方法。本发明在缓冲层上沉积AlGaN层作为阻挡层，实现器件对具体波长范围为250-280nm的光信号的响应；在阻挡层上沉积一层过渡层，降低了器件体内的晶格失配，可以减小器件暗电流；在器件最上层设计绝缘层a/挡光层/绝缘层b的结构，可提高器件的响应度。

公开(公告)号：CN110047956B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201910336655.9

申请日：2019-04-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  邓志杰 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，包括依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、阻挡层、掺杂层、过渡层，过渡层上设有吸收层，在吸收层上刻蚀出双台面结构，在吸收层及双台面结构上沉积钝化层，在钝化层上开窗口，窗口处设置欧姆接触层、肖特基接触层，在器件表面依次设置绝缘层a、挡光层和绝缘层b，并且开孔使欧姆接触层和肖特基接触层露出。并公开了其制备方法。本发明在缓冲层上沉积AlGaN层作为阻挡层，实现器件对具体波长范围为250‑280nm的光信号的响应；在阻挡层上沉积一层过渡层，降低了器件体内的晶格失配，可以减小器件暗电流；在器件最上层设计绝缘层a/挡光层/绝缘层b的结构，可提高器件的响应度。