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公开(公告)号：CN117766564A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311804347.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑GaN埋层结构调控阈值的增强型n沟道GaN高电子迁移率晶体管，其结构依次包括：一衬底；一生长于衬底上的GaN缓冲层；一生长于GaN缓冲层上的uid‑GaN层；一生长于uid‑GaN层上的Mg掺杂p‑GaN埋层；一生长于p‑GaN埋层上的uid‑GaN沟道层；一生长于uid‑GaN沟道层上的AlGaN势垒层；一生长于AlGaN势垒层上的Mg掺杂p‑GaN栅层；栅电极设置在p‑GaN栅层上；源电极、漏电极设置在AlGaN势垒层上。本发明在外延阶段直接埋入了一层p‑GaN，无需额外工艺就能实现对二维电子气(2DEG)的精确调控，便于获得高阈值的增强型GaN HEMT。
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