公开(公告)号：CN101667619B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910183439.1

申请日：2009-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈德媛 ,  刘宇 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元 ,  韦德远 ,  孙红程 ,  戴明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO2薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO2薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。

公开(公告)号：CN101667619A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910183439.1

申请日：2009-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈德媛 ,  刘宇 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元 ,  韦德远 ,  孙红程 ,  戴明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO 2 薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO 2 薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。

公开(公告)号：CN101271947A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810025499.6

申请日：2008-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 韦德远 ,  徐骏 ,  王涛 ,  陈德媛 ,  韩培高 ,  孙红程 ,  刘宇 ,  陈谷然 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  李伟 ,  徐岭

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。

公开(公告)号：CN100555693C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810025499.6

申请日：2008-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 韦德远 ,  徐骏 ,  王涛 ,  陈德媛 ,  韩培高 ,  孙红程 ,  刘宇 ,  陈谷然 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  李伟 ,  徐岭

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。