公开(公告)号：CN105353019A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510781080.3

申请日：2015-11-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  黄翔宇 ,  贾秀玲 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  C08F292/00 ,  C08F222/38 ,  C08F226/06

CPC classification number: G01N27/414 ,  C08F292/00 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/772 ,  C08F222/38 ,  C08F226/06

Abstract: 本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。

公开(公告)号：CN105353019B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510781080.3

申请日：2015-11-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  黄翔宇 ,  贾秀玲 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  C08F292/00 ,  C08F222/38 ,  C08F226/06

Abstract: 本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。