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公开(公告)号：CN117912970B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410310355.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束；再将团簇束沉积到衬底的表面，使团簇均匀的平铺在衬底的表面，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中，加热熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌，实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。
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公开(公告)号：CN117822107A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
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公开(公告)号：CN118756330A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410736483.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了化学气相输运生长新型磁性拓扑绝缘体制备方法及装置。本发明的装置包括单温区管式炉、石英管高温原料端、石英管低温生长端、温度监测部件、温度控制部件；石英管高温原料端和石英管低温生长端处于单温区管式炉内，温度监测部件与所述温度控制部件分别于石英管低温生长端相接，用于控制石英管低温生长端的温度波动。本发明将原料单质锰、单质铋、单质碲和碘加入到真空状态下封闭石英管，匀速升温石英管低温生长端3的温度至所需要温度，运行程序在设定温度保持7天，得到相应的化学气相输运生长本征磁性拓扑绝缘体。本发明通过精确控制温度实现了本征磁性拓扑绝缘体的晶体生长以及磁性调控。
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公开(公告)号：CN116761439A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311063346.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域，特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系；所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系，其与源电极、漏电极形成良好的接触，所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。
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公开(公告)号：CN117822107B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117912970A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410310355.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束；再将团簇束沉积到衬底的表面，使团簇均匀的平铺在衬底的表面，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中，加热熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌，实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。
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公开(公告)号：CN116761439B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311063346.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域，特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系；所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系，其与源电极、漏电极形成良好的接触，所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。
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公开(公告)号：CN116817804B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311070225.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤；根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明可直观且精确地判断团簇注入深度。
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公开(公告)号：CN118384930A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410312353.9
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于原子团簇催化领域，特别涉及一种质量选择磁控溅射团簇源合成原子级催化剂的制备方法。具体包括以下步骤：制备一定浓度的石墨相氮化碳/甲醇悬浊液；将氮化碳均匀旋涂分散在硅片上；通过磁控溅射源合成原子团簇，并且设置质量选择参数与沉积电压将目标原子团簇沉积到衬底上。本发明通过质量选择磁控溅射团簇源，制备出精确原子级催化剂；原子被成功锚定在氮化碳上；设计调整沉积电压和质量选择系统，进一步提升催化剂的纯度与稳定性。
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公开(公告)号：CN116817804A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311070225.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤；根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明可直观且精确地判断团簇注入深度。
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