一种SiC MOSFET有源驱动电路

    公开(公告)号:CN111327302B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202010097316.2

    申请日:2020-02-17

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路,包括:驱动电路,电压采样电路,脉冲产生电路和电压注入电路;所述电压采样电路,用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号,并传输给脉冲产生电路;所述脉冲产生电路,用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号,并传输给电压注入电路;所述电压注入电路,用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点:本发明的电路简单,能够抑制电流、电压过冲和振荡现象,且没有增加驱动电阻阻值,不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。

    一种基于替代定理的直流配电网谐波建模方法

    公开(公告)号:CN115498614A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202110678417.3

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本发明涉及一种基于替代定理的直流配电网谐波建模方法,包括以下步骤:将直流配电网中的各关键设备按照电能变换的功能进行分类;处理各类设备的输入端和输出端;写出各设备的状态空间平均方程;获取状态空间平均方程中各变量的指数式傅里叶系数并将其带入状态空间方程得到各类设备的谐波状态空间模型,然后通过傅里叶级数展开式将各变量的频域表达转变为时域表达;根据替代定理搭建直流配电网的谐波模型。相比于现有技术,本发明采用谐波建模法对直流配电网系统中的各变量进行谐波分析,解决了谐波状态空间建模法不适用于大型复杂系统的问题。

    一种常开型GaN FET的直接驱动电路

    公开(公告)号:CN108696268B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201810505115.4

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种常开型GaN FET的直接驱动电路,包括驱动输入模块、LVMOS驱动模块、欠压保护模块、CSD模块和过电流保护模块,驱动输入模块输出信号至LVMOS驱动模块、CSD模块和JFET管J1,欠压保护模块和过电流保护模块分别输出信号至驱动输入模块,CSD模块分别连接欠压保护模块、LVMOS驱动模块、JFET管J1的漏极和GaN FET管F1的栅极,JFET管J1的源极分别连接P型LVMOSFET管L1的漏极和欠压保护模块,P型LVMOSFET管L1的源极分别连接欠压保护模块和GaN FET管F1的源极,P型LVMOSFET管L1的栅极连接LVMOS驱动模块,GaN FET管F1的漏极连接过电流保护模块。本发明能够降低开关损耗。

    一种基于交流开关切换的双向DC-DC变流器

    公开(公告)号:CN110995011A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911354849.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明涉及一种基于交流开关切换的双向DC-DC变流器,属于变流器技术领域。包括原边半桥电路、包含中性点的直流电容桥臂、副边H桥电路、共享分裂谐振电容的LLC谐振腔、隔离变压器和交流开关电路;原边半桥电路和直流电容桥臂连接输入端电源两端;隔离变压器的原边同名端接原边半桥电路的中点,隔离变压器的原边非同名端接直流电容桥臂中点;隔离变压器的副边同名端接对应LLC谐振腔谐振电感一端,谐振电感另一端连接H桥左桥臂中点;隔离变压器的副边非同名端接副边H桥电路右桥臂中点,同时连接交流开关电路一端;副边H桥电路和分裂谐振电容串的直流两端连接输出直流两端。本发明电路具有开关损耗小,效率高,结构简单等优点。

    一种LLC谐振直流变换器的移相滑模控制方法及系统

    公开(公告)号:CN110943620A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911141175.3

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种LLC谐振直流变换器的移相滑模控制方法及系统,采样LLC谐振直流变换器的输出电压信号,将其与基准电压信号进行比较,并将比较结果转化为滑模输出信号;将滑模输出信号转化为移相比切换信号;根据移相比切换信号,产生具有移相角的驱动信号;将产生的驱动信号分别驱动LLC谐振直流变换器中的若干个功率开关管。优点:采用滞环滑模变结构控制使变换器超前桥臂和滞后桥臂的移相比在最大移相比和最小移相比之间切换,在调节LLC串联谐振变换器稳态输出的同时,可提升变换器的鲁棒性,并且可实现宽范围电压输入。

    一种基于MMC光伏并网逆变器的低电压穿越控制方法及系统

    公开(公告)号:CN106026163B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201610365691.4

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 本发明提供一种基于MMC的光伏并网逆变器的低电压穿越控制方法及系统,在传统的电流内环电压外环的双闭环矢量控制基础之上,当检测到并网点电压跌落时,通过判断电压跌落程度来重新分配无功电流指令值实现无功电流注入;并通过优化桥臂电流来调整MMC子模块电容电压波动范围;再引入新的有功电流指令值来限制有功电流;限制有功电流从而实现低电压穿越,保证光伏安全并网运行。该方法及系统通过优化桥臂环流抑制电容电压波动,增大输出无功功率,通过控制子模块参考电压,优化子模块电容电压波动范围,以此,解决无功注入时MMC子模块电容电压波动越限的问题,顺利实现低电压穿越。

    基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件

    公开(公告)号:CN106712749A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611029350.6

    申请日:2016-11-14

    CPC classification number: H03K17/107 H03K17/567 H03K2217/0036

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件,包括MOSFET、N个JFET、N个JFET驱动电路、混合高压器件的源极、混合高压器件的栅极以及混合高压器件的漏极。本发明电路功率部分通过碳化硅器件串联,并通过稳压管、二极管、电阻、电容等元件实现JFET驱动,最终的混合型高压器件可实现至少6kV的高耐压,相对其他高压器件,本高压器件成本低,可实现高频率、高效率和高功率密度,适用中高压电力电子变换器应用领域。

    一种双转子同步风力发电机及其设计方法

    公开(公告)号:CN118174506A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410288623.7

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本申请提供一种双转子同步风力发电机的设计方法,属于风力发电机技术领域,定子采用分数槽集中双层绕组,双转子采用直流励磁集中绕组,具体包括以下步骤:S1、确定定子主导极,根据确定的定子主导极确定转子的主导极;S2、根据步骤S1确定的转子的主导极确定转子的转速和旋转方向;S3、确定定子与转子的绕组匝数、定子和转子间的气隙长度、定子和转子的绕组线径的取值范围、转子绕组励磁电流最大幅值范围和转子轭部厚度;以及利用该方法设计的风力发电机;本申请转子结构简单,电机整体可控性高,发电效率高,方便组装和维修,能提供平滑的功率输出,方便接入电网。

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