公开(公告)号：CN103295855A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310211048.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  常本康 ,  赵静 ,  陈鑫龙 ,  钱芸生 ,  任玲 ,  徐源 ,  郝广辉 ,  金睦淳 ,  鱼晓华

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。