近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119364878A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411372439.7

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明提出了一种近红外响应增强的薄层透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件,该光电阴极结构自下而上为In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层、In0.52Al0.48As窗口层、Si3N4增透层以及玻璃。In0.52Al0.48As窗口层中包含平面层和纳米结构阵列两部分,并使用Si3N4介质填充纳米结构间的空隙,纳米结构阵列部分采用若干周期分布的圆柱或方柱结构,通过调整纳米阵列结构的周期、形状、尺寸和排列方式,可实现光电阴极组件整体对近红外特定波长处的吸收率的提高,从而提高透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极在近红外特定波长处的量子效率。本发明还给出了兼容新兴的微纳加工工艺与传统反转工艺的In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件制备工艺流程。

    GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法

    公开(公告)号:CN117766357A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311796134.4

    申请日:2023-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法,即在超高真空阴极激活系统中进行的单次阴极激活过程中,共同使用Cs源、NF3源和O源完成GaAs基光电阴极的表面激活操作,该混合激活方法具有提高GaAs基光电阴极稳定性和光谱响应性能的效果。这一新型的混合激活方法包括了以下步骤:1、对GaAs、InGaAs和AlGaAs等GaAs基类的光电阴极进行表面清洗;2、转移样品至超高真空系统中并进行高温净化,使样品达到原子级清洁表面;3、采用白光光源对阴极样品进行Cs/NF3激活;4、Cs/NF3激活结束后关闭NF3源,立即进行两次Cs/O交替激活,当光电流达到最高点时关闭Cs源和O源结束激活。通过上述方式,本发明可以得到阴极稳定性更好、光谱响应更高的GaAs基光电阴极。

    基于多特征融合的自适应皮肤炎症区域检测方法

    公开(公告)号:CN110363088B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201910505535.7

    申请日:2019-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于多特征融合的自适应皮肤炎症区域检测方法,包括以下步骤:采集人脸皮肤偏光图像;标记图像皮肤炎症区域中的若干像素点,对应的标签值为1,并记录像素点的坐标;标记图像正常皮肤区域中的若干像素点,对应的标签值为‑1,并记录像素点的坐标;遍历标记的像素点,提取每个像素点的局部差值、颜色空间和梯度特征;随机选取标记的若干像素点,由每个像素点对应的特征构建三个特征向量;将随机选择的像素点对应的坐标和三个特征向量作为训练样本数据,训练每个特征对应的向量机,获得炎症检测模型;利用炎症检测模型检测待测人脸皮肤偏光图像的炎症区域。本发明能实现对皮肤偏光图像的炎症区域检测提取,检测准确性高,且泛化能力强。

    一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法

    公开(公告)号:CN108646566B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201810600284.6

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本发明给出了一种基于采样的双边遥操作系统的从转矩反馈控制方法,包括以下步骤:步骤1:分析基于网络通信的双边遥操作系统的结构、网络通信中存在的非对称的时变时延和如何降低传输能耗问题;步骤2:针对网络通信中存在的非对称的时变时延和降低传输能耗问题,设计一种有效的基于采样的双边遥操作系统从转矩反馈的控制方法保证透明性与同步性能;步骤3:通过仿真实例对所得分析结果进行验证。

    一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法

    公开(公告)号:CN109427518B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201710782391.0

    申请日:2017-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法,即在超高真空激活系统中,采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括:1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗;2.对化学清洗后的样品进行高温净化;3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面,通过Cs源持续,氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。

    一种真空太阳能光电转换器件

    公开(公告)号:CN107507873B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201710661892.3

    申请日:2017-08-04

    Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器,包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件;阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs发射层、Cs/O激活层依次叠加构成;阳极组件自伤而下由金刚石膜层、Si衬底层、玻璃窗口构成;阴极组件、金刚石薄膜阳极组件之间设置通道,阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连,阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连,第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连,两极之间形成真空腔体。

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