一种合成二硅化钼粉体的方法

    公开(公告)号:CN112919475A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110262265.9

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明属于材料领域,具体为一种合成二硅化钼粉体的方法。将按比例称取的Mo粉和Si粉混合均匀后铺设在熔点低于2020℃金属基板上,在激光加工能量密度低于100J/mm2的条件下,激光辐照在粉末表面,使Mo、Si混合粉末熔融,在基底表面2020℃以上温度的熔池中发生原位反应,生成MoSi2;机械剥离、筛选之后得到MoSi2合成产物,并对合成产物进行球磨,得到MoSi2粉体。本发明直接采用Mo粉和Si粉,利用激光能量快速作用合成二硅化钼材料,在工艺参数和熔池中强烈对流的影响下,二硅化钼层沿着激光辐照轨迹,以珠状或不连续状附在基底上,表现出较差的结合力,方便了二硅化钼的收集及后续工作;具有工艺简单,易于操作,制备周期短,效率高,能耗少,制得的粉末纯度高等优点。

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