基于极化扭转单元的低剖面透射阵列天线

    公开(公告)号:CN115377699A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211121123.1

    申请日:2022-09-15

    IPC分类号: H01Q15/02 H01Q19/06 H01Q13/02

    摘要: 本发明公开了一种基于极化扭转单元的低剖面透射阵列天线,包括角锥喇叭天线和透射阵列,阵列包括若干个透射单元,每个透射单元均包括介质基板,上层金属贴片和下层金属贴片。金属贴片为方形结构,上面蚀刻扇形缝隙,通过改变扇型缝隙的角度,实现其对相位的调控。此外通过对下层扇形缝隙的镜像,可以获得360°的相位范围。本发明与加入金属化通孔的透射阵列天线相比,简化了单元结构,增加了带宽;与带有空气层的多层透射阵列天线相比,仅有一层介质基板和两层金属层,减少了空气层,提高了阵列的稳定度,并能有效降低阵列的剖面高度,简化阵列安装过程,避免了由安装精度引入的误差,具有低剖面、高增益等优点。

    一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法

    公开(公告)号:CN115372799A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211098705.2

    申请日:2022-09-07

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明公开了一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法,该方法步骤如下:构建直通、反射和线校准件结构;获取待测件及校准件的S参数;求解引线及焊盘结构引入的八项误差;根据所求八项误差完成对待测件S参数的去嵌入;其中引线及焊盘结构引入的八项误差由直通、反射、线校准件的S参数,通过散射参数级联、信号流分析和矩阵恒等的方法求出,并最终根据散射参数级联原理完成对待测件S参数的去嵌入。该方法可消除砷化镓基射频集成电路测量时引线及焊盘结构对原电路性能造成的影响,具有去嵌入效果好,所需校准件少,计算资源占用低的优点。

    基于脊间隙波导的Ka波段GYSEL功分器

    公开(公告)号:CN111063975B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201911302474.0

    申请日:2019-12-17

    IPC分类号: H01P5/16

    摘要: 本发明公开了一种基于脊间隙波导的Ka波段GYSEL功分器,该功分器包括基于脊间隙波导的功分结构以及位于1个输入端口和2个输出端口处的脊间隙波导‑微带过渡结构。脊间隙波导中采用销钉‑凹槽的周期性电磁带隙结构,拓宽了脊间隙波导的带宽。微带过渡结构中矩形槽与置于矩形槽一侧上方的喇叭形微带探针用于实现脊间隙波导与微带线之间电磁波的耦合。对脊间隙波导中的脊进行3阶四分之一波长的切比雪夫阻抗变换实现了从脊间隙波导到矩形腔的宽频带范围的阻抗匹配。该功分器具有结构简单、低损耗、特性良好等优点,易于实现电路集成与系统封装。

    基于脊间隙波导的毫米波高增益高辐射效率槽天线阵列

    公开(公告)号:CN112436295A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202110114394.3

    申请日:2021-01-28

    IPC分类号: H01Q21/00 H01Q1/38

    摘要: 本发明公开了一种基于脊间隙波导的毫米波高增益高辐射效率槽天线阵列,包括上中下三层结构:最上层是通过机械加工制成的全金属辐射单元层,由16个等间距的倒梯形槽辐射单元组成;中间层是通过多层印刷电路板技术加工而成的基片集成波导高次模谐振腔馈电层,所述的基片集成波导高次模谐振腔馈电层由上中下三层平面结构组成:上方是具有矩形缝隙的金属印刷面,中间是带有周期性排布的金属通孔的介质基板,下方是带有四个矩形耦合孔的金属板;最底层是由机械加工的脊间隙波导馈电网络层,包括金属脊线,围绕在金属脊线周围的金属销钉和金属底板。整个天线阵列体积小,质量轻,集成度高,在工作带宽内实现高增益和高辐射效率。

    基于零阶谐振器的高性能可调滤波器

    公开(公告)号:CN106207331B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201610530252.4

    申请日:2016-07-06

    IPC分类号: H01P1/203

    摘要: 本发明公开了一种基于零阶谐振器的高性能可调滤波器。该可调滤波器包括上层微带结构,中间层介质板和下层接地金属,上层微带结构包括两条端口馈线、两个隔直电容和一对零阶谐振单元。其中每个零阶谐振单元由交趾型电容和高阻抗线电感组成,三个变容二极管分别嵌在交趾型电容每对交趾的右侧趾间,用于调节滤波器的中心频率。该可调滤波器具有尺寸小、损耗低、带内匹配良好、选择性好等方面的优势,该可调滤波器结构设计简单,电性能良好,易于实现电路集成与系统封装。

    基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器

    公开(公告)号:CN104868212B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410064306.3

    申请日:2014-02-25

    IPC分类号: H01P1/387

    摘要: 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器,包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器,所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上,三个威尔金森功分器均在PCB上加工,威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连;所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口,相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器,威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口,形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。

    基于信号干扰理论的多功能可重构滤波器

    公开(公告)号:CN106571507A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201611000729.4

    申请日:2016-11-14

    IPC分类号: H01P1/203

    CPC分类号: H01P1/2039

    摘要: 本发明公开了一种新型的基于信号干扰理论的多功能可重构滤波器,包括上层微带结果,中间层介质板和下层接地金属,上层微带结构包括两条输入/输出馈线、五条微带线、一对平行耦合线、六个隔直电容、五个偏置电阻、五个PIN 管和四个短路接地通孔组成。通过在传输线加入控制通断的开关,控制传输线路径的选择,从而实现多个可切换的滤波模式。实现的三个滤波模式分别为:超宽带带通滤波器模式(UWB‑BPF),窄带带通滤波器模式(NB‑BPF),超宽带带阻滤波器模式(UWB‑BSF)。通带模式的形成是通过终端短路谐振器引入传输零点所形成的;阻带模式的形成是通过信号干扰原理,两路信号的叠加相减形成了一个宽阻带。三种模式具可实现并可调节,结构简单,特性良好,易于实现电路集成和系统封装。

    基于中心加载耦合结构的可调双频带阻滤波器

    公开(公告)号:CN105789789A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610254572.1

    申请日:2016-04-22

    IPC分类号: H01P1/203

    CPC分类号: H01P1/203

    摘要: 本发明公开了一种基于中心加载耦合结构的可调双频带阻滤波器。该可调滤波器包括上层微带结构,中间层介质基板和下层接地金属,上层微带结构由两对耦合线,两对变容二极管,两个隔直电容和三条微带线。两对耦合线实现了双频带阻滤波器的传输特性,通过调节耦合线间距、线宽等参量可以有效地控制耦合量的大小,从而获得不同的两个阻带频率。加载在耦合线中间的变容二极管可以有效地调节第一阻带的频率,耦合线末端连接的变容二极管可以改善双频带阻滤波器的带外传输特性。该可调滤波器能够实现良好的阻带特性和带外的多个传输极点,第一阻带频率可调范围达到18.3%,且绝对带宽恒定不变,结构设计简单,电性能好,易于实现电路集成与系统封装。

    基于信号干扰技术的高选择性平衡滤波器

    公开(公告)号:CN105703043A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610030674.5

    申请日:2016-01-18

    IPC分类号: H01P1/212

    CPC分类号: H01P1/212

    摘要: 本发明公开了一种新型的高选择性平衡滤波器,包括四对开路/短路耦合线,四对开路耦合线,两条开路线,七条微带传输线和四个金属化过孔。左右对称的非平衡滤波器通过半波长微带传输线相连形成四端口的平衡滤波器。通过调节开路耦合线间距、线宽等参量可以有效地控制耦合量的大小,从而灵活地控制带宽。利用信号干扰技术和加载的半波长开路分支线的传输特性,可以产生多个传输零点,有效地提高了差模信号的通带选择性和共模信号的抑制度。该平衡滤波器在两条传输路径信号的共同作用下,实现了差模信号良好的通带特性和带外的多个带外零点,共模信号的抑制频段达到了三个倍频,结构设计简单,电性能好,易于实现电路集成与系统封装。