一种基于花菁骨架检测铜离子的近红外探针及其合成、应用方法

    公开(公告)号:CN113929611B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202010605351.0

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于花菁骨架检测铜离子的近红外探针及其合成、应用方法。本发明在THF/H2O(6:4,v/v)溶液中利用探针对Cu2+的特异性识别,选取的20种常见干扰离子对检测干扰小,响应迅速,在3mins内即可完成响应,且检测线达到7.7μM,具有较高的灵敏度和优异的选择性。本发明的具有双通道识别效应和化学比率计的优良特性,发射波长位于近红外光区,具有优良的组织穿透能力。溶剂的pH在5‑9的范围内对测试的影响小,综上有应用于生物成像检测细胞中铜离子实时浓度的应用前景。

    水热法制备碳包覆纳米铝粉的方法

    公开(公告)号:CN110480004B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN201910807696.1

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种水热法制备碳包覆纳米铝粉的方法。所述方法先将糖类物质溶于有机溶剂中形成碳前驱液,再将纳米铝粉超声分散至碳前驱液中,160~180℃下水热反应,得到碳包覆纳米铝粉。本发明反应条件温和、过程简单、制备成本低,适合批量化制备。采用本发明方法制备的碳包覆纳米铝粉可有效阻止纳米铝颗粒表面的氧化,保持铝粉的活性;且将复合材料加入固体推进剂进行高温燃烧时,表面包覆的无定形碳可提供额外的燃烧热,促进纳米铝的快速燃烧反应,从而提高固体推进剂的燃烧性能。

    一种复合含能材料的真空压差制备方法

    公开(公告)号:CN109134163A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810918764.7

    申请日:2018-08-13

    CPC classification number: C06B21/0083

    Abstract: 本发明公开一种复合含能材料的真空压差制备方法,制备步骤为:将具有高孔隙率或密集线型结构的基体放入密闭容器抽真空,将待复合的材料制成液态物质,并在真空下注入密闭容器内,然后打开密闭容器阀门,容器内恢复大气压,待复合的液态物质在内外压差的作用下被注入基体的缝隙,完成填充,然后干燥或固化后,制得氧化剂与还原剂接触更为紧密的复合含能材料。本发明利用真空压差作用填充具有多孔或具有密集线型结构的材料,操作简单,填充效率高,适用范围广,可改善复合含能材料的燃烧性能。

    一种微纳米含能材料定容燃烧压力测试装置

    公开(公告)号:CN108445145A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810171703.9

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种微纳米含能材料定容燃烧压力测试装置,用于小药量微纳米含能材料的燃烧性能测试,包括微型密闭爆发器、螺母式点火器、微纳米含能材料以及压电传感器,螺母式点火器与微型密闭爆发器燃烧室固定连接,微纳米含能材料以装填于微型密闭爆发器燃烧室中,微型密闭爆发器另一端与压电传感器连接。本发明结构简单,且能够保证严格密封,操作方便,能够满足毫克级微纳米含能材料的测试需求。

    电火工品用半导体桥换能芯片

    公开(公告)号:CN102944138A

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201210473888.1

    申请日:2012-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片,包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形,本发明因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区,使其在电磁场的环境中场强密度均匀,不易出现场强在局部集中密度增强的问题,同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求,结构特别简单不需要增加成本;容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。

    用于电火工品的表面封装半导体桥换能元件

    公开(公告)号:CN102853724A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210377096.4

    申请日:2012-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种用于电火工品的表面封装半导体桥换能元件,包括电极塞,电极塞的脚线电极,印制电路板,印制电路板的两个面上分别对称设置两个焊盘电极,在与电极塞接触的面的焊盘电极上留有若干个用于连接芯片的导电胶的标记盂,在印制电路板上设置两个用于穿过电极塞的脚线电极的电极孔,电极孔同时穿过印制电路板两个面的焊盘电极,且与其相连,在印制电路板的中心留有开孔,在印制电路板的与电极塞接触的面安装有半导体桥芯片,开孔对准半导体桥芯片的桥区;本发明在印制电路板中心开孔,采用芯片倒扣的表面组装技术,一道工艺就可靠的完成芯片与印制电路板电极连接;结构简单,焊接强度高,作用可靠,产品合格率高制造成本低。

    电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法

    公开(公告)号:CN111254472B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201811451549.7

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法。所述方法以具有微纳米结构的含铜薄膜材料作为阳极,以含N3‑的溶液为电解液,在通电条件下含铜薄膜在阳极完成叠氮化反应,反应结束后,干燥,得到含叠氮化铜/叠氮化亚铜的薄膜。本发明利用电化学方法,在液相环境中直接制备具有微纳米结构的叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜,简单高效,制备过程安全,可操作性强,适用范围广。同时,制备工艺与MEMS工艺兼容,可将叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜直接集成在微器件或者芯片上,促进叠氮化铜/叠氮化亚铜材料的应用。

Patent Agency Ranking