-
公开(公告)号：CN117845236A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410034928.5
申请日：2024-01-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: C25B3/05 , C25B3/09 , C25B3/25 , C25B3/29 , C25B11/031 , C25B11/04 , C25B11/042 , C25B11/052 , C25B11/075 , C25B11/061 , C01B25/08
Abstract: 本发明公开了一种电化学阴极还原偶联制备5,5’‑偶氮四唑盐的方法。所述方法以多孔金属或多孔金属磷化物作为工作电极，通过电流刺激，5‑硝基四唑在阴极被氢质子捕获氧原子，随后在阴极发生还原偶联，5,5’‑偶氮四唑盐直接在溶液中析出，并可以通过溶解度差异对滤液进行分离提纯，将纯化的物质进行重结晶得到产物。本发明通过电化学催化反应，避免使用了化学计量的传统氧化还原剂，并且反应路径单一，避免各种副产物及废弃物的排放，成本低廉；采用常规金属和金属磷化物电极作为催化阴极，反应条件温和，对5‑硝基四唑钠的偶联催化效果优异，反应效率高，低污染低成本高产率。
-
公开(公告)号：CN113862754B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010614687.3
申请日：2020-06-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法。具体为纳米级别五硝基四唑亚铜(CuNT)纳米阵列起爆药薄膜采用连续3步电化学氧化还原的方法快速在铜箔表面原位制备得到。具体是首先将洁净的铜片在氢氧化钾溶液中阳极氧化腐蚀制备出氢氧化铜纳米线阵列，随后继续在硫酸钠溶液中阴极还原成铜纳米线阵列，最后在五硝基四唑钠溶液中阳极氧化制备出CuNT起爆药纳米阵列薄膜。本发明成功首次制备出纳米级别的新型绿色起爆药CuNT，通过该起爆药的纳米薄膜化不仅仅能够改善该起爆药的性能，而且能够提高与微机电系统(MEMS)的兼容性，从而拓展了该新型绿色含能起爆药的应用。
-
公开(公告)号：CN116986960A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766085.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: C06B33/02
Abstract: 本发明公开了一种通过含氟聚合物涂层调控高活性金属粉界面层的方法。该方法将高活性金属粉、含氟丙烯酸酯和有机共聚物溶解后超声分散，升温加入溶解的偶氮二异丁腈，在高纯氮气气氛下继续升温后搅拌进行反应，得到含氟丙烯酸酯涂层调控的的高活性金属粉。本发明的制备工艺简单，适合工业化生产。本发明制备的含氟丙烯酸酯涂层调控的金属粉含能复合材料可有效阻止高活性金属粉颗粒表面的持续氧化，保护高活性金属粉活性。同时，含氟丙烯酸酯与金属粉共同反应，促进金属粉的快速燃烧，从而提高含能复合材料的燃烧性能。
-
公开(公告)号：CN112923802A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110174229.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13 , B29C64/106 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种直写打印含能半导体桥换能元及其制备方法，该含能油墨层通过直写打印的方式沉积在半导体桥芯片上，一次可以打印一个含能半导体桥换能元，也可以集成式打印多个含能半导体桥换能元，在浸泡粘结剂溶液烘干后的半导体桥换能芯片上利用直写打印技术沉积含能油墨，烘干后即可得到含能半导体桥换能元。本发明的含能半导体桥换能元制备工艺简单，集成化程度高，含能薄膜的厚度易控制。
-
公开(公告)号：CN112920001A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110174228.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种P4VP自组装制备纳米铝/多孔氧化铜纳米铝热剂的方法。该方法分为两个阶段，第一个阶段，采用Cu(NO3)2·H2O和尿素获得氧化铜前驱体，然后将其在高温煅烧以获得片状的多孔氧化铜，接着将多孔氧化铜与纳米铝粉通过物理混合的方式得到nAl/pCuO含能复合材料；第二个阶段为P4VP自组装阶段，配制P4VP异丙醇溶液，然后加入纳米铝粉超声分散，接着边搅拌边加入多孔氧化铜悬浮液，最后对纳米铝粉和氧化铜再次进行超声分散，将悬浮液经过抽滤、洗涤便可获得nAl/pCuO@P4VP纳米铝热剂。本发明制备的纳米铝热剂，组分间团聚现象减少，纳米铝粉与氧化铜之间接触的面积大大增加，对于提高纳米铝热剂的能量释放和反应性能有促进作用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107702602A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710751257.4
申请日：2017-08-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42C21/00
CPC classification number: F42C21/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS火工品换能元点火能力测试装置，包括换能元、点火药、固定连接的外壳、换能元封装器件、内套筒。换能元封装器件放置于外壳底部，内套筒的底部端面紧贴换能元封装器件的顶部端面，内套筒中压装点火药，通过控制点火药下表面与内套筒底部端面的距离改变间隙点火距离。本发明通过调节定位柱精确控制点火间隙，结构简单、操作简便；利用点火间隙的大小间接表征MEMS火工品换能元点火能力的大小，半量化了MEMS火工品换能元的点火能力，是考量MEMS火工品换能元性能的又一重要参考。
-
公开(公告)号：CN104976925A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510309799.7
申请日：2015-06-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含能半导体桥及其制备方法。该含能导体桥包括半导体桥基底以及该半导体桥基底上制备的3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜，制备步骤为：制备PS微球乳液；制备金属氧化物前驱液；在半导体桥基底上滴加PS微球乳液并进行干燥，PS微球自然沉积形成胶晶模板；在胶晶模板上滴加金属氧化物前驱液，该前驱液渗透入胶晶模板中，然后进行干燥得到PS微球/前驱液复合薄膜；将PS微球/前驱液复合薄膜放入马弗炉中煅烧除去PS胶晶模板，生成3DOM金属氧化物骨架；采用磁控溅射对半导体桥基底上的3DOM金属氧化物骨架进行镀铝，得到载有3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜的半导体桥。本发明的制备条件温和，制备的含能半导体桥具有高发火量、长发火时间的优点。
-
公开(公告)号：CN116023198B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310002004.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铝热剂/钙钛矿含能化合物复合材料及其制备方法。该方法先将具有片状多孔结构的CuO和不同比例的微纳米铝粉m‑nAl在有机溶剂中超声分散后，搅拌混合，过滤干燥后得到m‑nAl/pCuO铝热剂；再将m‑nAl/pCuO铝热剂与钙钛矿含能化合物分散于有机溶剂中，不断搅拌混合，得到m‑nAl/pCuO/DAP‑4复合材料。本发明制备条件温和、反应过程简单、制备成本低，适合工业化生产和批量化制备。采用本发明方法制备的Al/pCuO/DAP‑4复合材料，依靠DAP‑4受热分解所产生的大量能量和释放的大量气体，能够提升整个复合铝热体系的能量释放，解决铝热剂压力输出不足的问题，改善铝热剂的热反应性能和燃烧性能。
-
公开(公告)号：CN116555790A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310448571.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种3‑硝基‑1,2,4‑三唑铜基含能配合物及其制备方法。所述方法以3‑硝基‑1,2,4‑三唑和氯化铜的混合溶液为电解液，并加入三乙胺，以铂电极为通用电极，石墨棒电极为反应电极，通电条件下反应，得到3‑硝基‑1,2,4‑三唑铜基含能配合物。本发明基于去质子剂对高氮配体的活化作用，采用电化学还原方法构筑了不同形态性质的3‑硝基‑1,2,4‑三唑铜基含能配合物，避免使用了化学计量的传统氧化还原剂，并且反应路径单一，规避各种副产物及废弃物的排放，成本低廉，制得的3‑硝基‑1,2,4‑三唑铜基配合物，可直接在电解液中析出，避免分离提纯等冗余操作。
-
公开(公告)号：CN116516362A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310448573.X
申请日：2023-04-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学阳极氧化偶联制备3,3’‑二氨基‑4,4’‑偶氮呋咱的方法。所述方法制备碳材料作为阳极，通过电流刺激，二氨基呋咱在阴极失去氢质子，随后在阳极发生氧化偶联，通过溶解度差异进行分离提纯，将纯化的物质进行重结晶得到产物。本发明通过电化学催化反应，避免使用了化学计量的传统氧化还原剂，并且反应路径单一，避免各种副产物及废弃物的排放，成本低廉；采用常规碳材料电极作为催化阳极，反应条件温和，对二氨基呋咱的偶联催化效果优异，反应效率高，低污染低成本高产率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.026 seconds)
