公开(公告)号：CN114203813B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202111454213.8

申请日：2021-11-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  吕晋也 ,  肖亦可 ,  曾晖

IPC: H10D30/00 ,  H10D62/86 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管，该场效应管沟道材料置于衬底材料之上，源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流，在沟道材料和离子源间引入中间层，离子源置于中间层上侧用于提供自由离子，栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导，模拟生物记忆功能；沟道材料采用MoS2，中间层采用Ti3C2O2，沟道材料和中间层之间堆叠时，中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子。本发明场效应管具有工作态和静息态，中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿，在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层‑离子源界面处的形成几率。

公开(公告)号：CN114203813A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111454213.8

申请日：2021-11-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  吕晋也 ,  肖亦可 ,  曾晖

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/22 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管，该场效应管沟道材料置于衬底材料之上，源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流，在沟道材料和离子源间引入中间层，离子源置于中间层上侧用于提供自由离子，栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导，模拟生物记忆功能；沟道材料采用MoS2，中间层采用Ti3C2O2，沟道材料和中间层之间堆叠时，中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子。本发明场效应管具有工作态和静息态，中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿，在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层‑离子源界面处的形成几率。