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公开(公告)号:CN112507653B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202011161540.X
申请日:2020-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/398 , H01L29/30
Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。
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公开(公告)号:CN110083904A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910310932.9
申请日:2019-04-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GPU加速的量子雷达散射截面计算方法,具体为:对电磁场进行量子化,根据二能级自发辐射原理,求得光子状态、光子波函数,并得到量子雷达散射截面计算公式;对目标建模并进行表面三角形面元离散,得到目标剖分文件以及每个三角形面元的中心点以及外法向量,并根据目标剖分文件进行八叉树分组;对目标进行遮挡以及亮暗面判断并记录亮面三角形面元对应的顶点坐标,计算目标在入射方向上的正交投影面积;利用获得的数据,计算量子雷达散射截面。本发明使用GPU加速,能够大幅度缩短计算时间,并且能够分析电大尺寸复杂模型的量子雷达目标特性。
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公开(公告)号:CN116310329A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310194557.2
申请日:2023-03-03
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06V10/26 , G06V10/82 , G06T7/00 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种基于轻量多尺度UNet的皮肤病变图像分割方法,方法包括:获取皮肤病变图像并进行预处理;建立轻量多尺度UNet网络结构即LMUNet:以原始的UNet模型为基础,使用多尺度倒置残差模块替代UNet编码路径中原有的卷积模块,并在编码路径和解码路径之间加入非对称空洞空间金字塔池化模块,同时减少每层的通道数,并将UNet原有的跳跃连接修改为通道相加;利用预处理的皮肤病变图像对LMUNet网络进行训练;将待分割的皮肤病变图像输入训练好的LMUNet网络获取分割结果。实验结果表明本发明解决了基于UNet的皮肤病变图像模型复杂度高、计算量大和参数多的问题,并提高了皮肤病变图像分割的准确率和速度,实现了皮肤病变图像的快速分割。
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公开(公告)号:CN110083904B
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN201910310932.9
申请日:2019-04-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GPU加速的量子雷达散射截面计算方法,具体为:对电磁场进行量子化,根据二能级自发辐射原理,求得光子状态、光子波函数,并得到量子雷达散射截面计算公式;对目标建模并进行表面三角形面元离散,得到目标剖分文件以及每个三角形面元的中心点以及外法向量,并根据目标剖分文件进行八叉树分组;对目标进行遮挡以及亮暗面判断并记录亮面三角形面元对应的顶点坐标,计算目标在入射方向上的正交投影面积;利用获得的数据,计算量子雷达散射截面。本发明使用GPU加速,能够大幅度缩短计算时间,并且能够分析电大尺寸复杂模型的量子雷达目标特性。
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公开(公告)号:CN112507653A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011161540.X
申请日:2020-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/398 , H01L29/30
Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。
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公开(公告)号:CN114203813B
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202111454213.8
申请日:2021-11-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管,该场效应管沟道材料置于衬底材料之上,源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流,在沟道材料和离子源间引入中间层,离子源置于中间层上侧用于提供自由离子,栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导,模拟生物记忆功能;沟道材料采用MoS2,中间层采用Ti3C2O2,沟道材料和中间层之间堆叠时,中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子。本发明场效应管具有工作态和静息态,中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿,在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层‑离子源界面处的形成几率。
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公开(公告)号:CN116449323A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202310340055.6
申请日:2023-03-31
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局部耦合的时域迭代物理光学法快速分析方法,首先对目标进行建模,并用三角形面元剖分来拟合目标表面外形;设置入射波为调制高斯脉冲,对入射波进行时间离散采样;其次判断源三角是否满足局部条件且源和场三角之间的时间延迟是否满足在回波的持续时间内,计算所有满足以上条件的源三角对场三角的耦合作用,将所有耦合作用进行累加得到每个离散面元表面的感应电流;最后由感应电流计算每个面元的远区散射场并进行累加,得到目标的回波响应;对回波响应进行离散傅里叶变化获得目标的回波频域响应,将其与入射波的频域响应相除求得目标宽频带RCS。该方法减少了不必要的耦合源的迭代,在满足精度的情况下,提高了算法的效率。
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公开(公告)号:CN110781443A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910972291.3
申请日:2019-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种多尺度量子电磁耦合的含时计算方法。该方法将计算区域分成量子区域(QM)和经典电磁(EM)区域,并在两区域界面处进行参数传递,对两区域均采用隐式差分格式求解方程,实现量子与经典电磁多尺度耦合计算。当电磁波穿透量子力学区域时,整个系统可以用麦克斯韦方程统一地确定区域内的场分布,同时结合漂移扩散方程对系统的电荷输运进行描述。将电磁区域的瞬态势分布作为量子区域模拟的边界条件,同时将量子区域采用含时密度泛函紧束缚方法计算出的电流密度代入电磁区域的经典电磁方程组中。本方法搭建的多尺度耦合计算平台中QM与EM区域都采用了隐式时间差分,因此时间步相比已有工作得到放大,从而提高计算效率。
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公开(公告)号:CN110781443B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201910972291.3
申请日:2019-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种多尺度量子电磁耦合的含时计算方法。该方法将计算区域分成量子区域(QM)和经典电磁(EM)区域,并在两区域界面处进行参数传递,对两区域均采用隐式差分格式求解方程,实现量子与经典电磁多尺度耦合计算。当电磁波穿透量子力学区域时,整个系统可以用麦克斯韦方程统一地确定区域内的场分布,同时结合漂移扩散方程对系统的电荷输运进行描述。将电磁区域的瞬态势分布作为量子区域模拟的边界条件,同时将量子区域采用含时密度泛函紧束缚方法计算出的电流密度代入电磁区域的经典电磁方程组中。本方法搭建的多尺度耦合计算平台中QM与EM区域都采用了隐式时间差分,因此时间步相比已有工作得到放大,从而提高计算效率。
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公开(公告)号:CN114203813A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111454213.8
申请日:2021-11-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/22 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管,该场效应管沟道材料置于衬底材料之上,源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流,在沟道材料和离子源间引入中间层,离子源置于中间层上侧用于提供自由离子,栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导,模拟生物记忆功能;沟道材料采用MoS2,中间层采用Ti3C2O2,沟道材料和中间层之间堆叠时,中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子。本发明场效应管具有工作态和静息态,中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿,在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层‑离子源界面处的形成几率。
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