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公开(公告)号：CN110611781B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910904796.6
申请日：2019-09-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率大面阵CMOS成像方法，包括以下步骤：FPGA输出驱动信号，经过扇出缓冲器后，进入CMOS探测器；CMOS探测器输出信号，经过电阻分压后，进入高速串行AD进行模数转换；FPGA接收AD数据后，进行串并转换，然后缓存至DDR3中；FPGA从DDR3中按照HDMI 1080P的帧频读出分辨率为1920×1080的图像，并由HDMI 1080P显示电路进行输出；FPGA从DDR3中按照HDMI 4K的帧频读出分辨率为4096×2160的图像，并由HDMI 4K显示电路进行输出；FPGA按照CameraLink的时序发送分辨率为12800×12800的图像，并由CameraLink显示电路进行输出。
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公开(公告)号：CN109543204B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201710867700.4
申请日：2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下：1)建立半导体器件的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息；2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去，实现半导体与外电路的联合求解，列出所需要的KVL、KCL方程并求解；3)对半导体器件内部的电热特性进行分析，得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布；4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中，如果满足外电路的收敛精度，则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值；如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来，能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。
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公开(公告)号：CN109816616B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201811586175.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于塔型分解的非制冷红外图像与日盲紫外图像融合方法。该方法为：首先将非制冷红外图像进行中值滤波去除椒盐噪声，通过上平台直方图均衡化实现对比度调整；然后将非制冷红外图像和紫外图像分别进行高斯金字塔分解和拉普拉斯金字塔分解；接着将拉普拉斯金字塔第三层采用加权平均进行融合，将第二层和第一层采用灰度值取大进行融合；最后将分层融合后的拉普拉斯金字塔从第三层开始上采样，并且通过高斯核卷积滤波后加上第二层，得到的图像继续上采样，经过高斯核卷积滤波后加上第一层，完成重构过程，得到最终的融合图像。本发明具有图像融合效果好、运算简单、所需资源少的优点。
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公开(公告)号：CN110784665A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910778100.X
申请日：2019-08-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于ICMOS图像反馈的像增强器局部强光保护方法，包括以下步骤：步骤1，采用光纤面板将像增强器荧光屏与CMOS图像传感器感光面耦合，形成ICMOS系统；步骤2，搭建整体成像系统并上电，供电模块为系统提供工作电压，微弱光信号经像增强器放大后在荧光屏上成像；步骤3，CMOS图像传感器采集荧光屏所成图像，经视频解码模块转化为数字信号，传输给后端硬件电路进行图像处理，再将处理完成后的数字信号编码成为模拟信号输出在显示器上成像；步骤4，基于FPGA的驱动及图像处理模块根据图像信息生成对应的占空比控制信号反馈调节自动门控电源模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110611781A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904796.6
申请日：2019-09-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率大面阵CMOS成像方法，包括以下步骤：FPGA输出驱动信号，经过扇出缓冲器后，进入CMOS探测器；CMOS探测器输出信号，经过电阻分压后，进入高速串行AD进行模数转换；FPGA接收AD数据后，进行串并转换，然后缓存至DDR3中；FPGA从DDR3中按照HDMI 1080P的帧频读出分辨率为1920×1080的图像，并由HDMI 1080P显示电路进行输出；FPGA从DDR3中按照HDMI 4K的帧频读出分辨率为4096×2160的图像，并由HDMI 4K显示电路进行输出；FPGA按照CameraLink的时序发送分辨率为12800×12800的图像，并由CameraLink显示电路进行输出。
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公开(公告)号：CN109543204A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710867700.4
申请日：2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下：1)建立半导体器件的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息；2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去，实现半导体与外电路的联合求解，列出所需要的KVL、KCL方程并求解；3)对半导体器件内部的电热特性进行分析，得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布；4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中，如果满足外电路的收敛精度，则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值；如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来，能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。
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公开(公告)号：CN109543205B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710867706.1
申请日：2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下：第一步，建立MOSFET的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息，包括六面体的单元信息及节点信息；第二步，从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发，先用后向欧拉进行时间差分，然后对等式采用不连续伽辽金法测试，强加电场边界条件，求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下，可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下，器件内部电场随时间变化的分布情况，在获得相同收敛精度时，可以减少计算量，此外具有建模灵活、剖分方便的优点，形成的矩阵具有良好的稀疏性，求解效率较高。
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公开(公告)号：CN109816616A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811586175.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于塔型分解的非制冷红外图像与日盲紫外图像融合方法。该方法为：首先将非制冷红外图像进行中值滤波去除椒盐噪声，通过上平台直方图均衡化实现对比度调整；然后将非制冷红外图像和紫外图像分别进行高斯金字塔分解和拉普拉斯金字塔分解；接着将拉普拉斯金字塔第三层采用加权平均进行融合，将第二层和第一层采用灰度值取大进行融合；最后将分层融合后的拉普拉斯金字塔从第三层开始上采样，并且通过高斯核卷积滤波后加上第二层，得到的图像继续上采样，经过高斯核卷积滤波后加上第一层，完成重构过程，得到最终的融合图像。本发明具有图像融合效果好、运算简单、所需资源少的优点。
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公开(公告)号：CN109543205A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710867706.1
申请日：2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下：第一步，建立MOSFET的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息，包括六面体的单元信息及节点信息；第二步，从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发，先用后向欧拉进行时间差分，然后对等式采用不连续伽辽金法测试，强加电场边界条件，求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下，可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下，器件内部电场随时间变化的分布情况，在获得相同收敛精度时，可以减少计算量，此外具有建模灵活、剖分方便的优点，形成的矩阵具有良好的稀疏性，求解效率较高。
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