对金表面掺杂以增强对半胱氨酸分子分离能力的方法

    公开(公告)号:CN109107534A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201710483980.9

    申请日:2017-06-23

    CPC classification number: B01J20/223 B01J20/29

    Abstract: 本发明公开了一种通过对金表面掺杂以增强对半胱氨酸分子分离能力的方法,步骤包括:从金体相中得到纯净的Au(532)表面,此外将Au(532)表面最上层原子替换为Ag并设该表面为Ag/Au(532)面,构建左、右手性半胱氨酸分子,对上述结构进行优化;分别将优化后的左、右手性半胱氨酸分子吸附在优化后的Au(532)面及Ag/Au(532)面上不同位置,对这些结构进行优化并找出各自最稳构型;对左、右手性半胱氨酸分子在Au(532)面吸附能及Ag/Au(532)面吸附能做差分别得到ΔE1和ΔE2;ΔE越大,左、右手性分子脱吸附顺序越明显分离能力越强。本发明使用精确的DFT计算方法及合理设计,通过对Au(532)表面掺杂Ag所获得的双金属表面对半胱氨酸异构体区分能力比纯金表面提高了45%。

    通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法

    公开(公告)号:CN112467034A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011267409.1

    申请日:2020-11-13

    Inventor: 刘伟 孙超 苏桂荣

    Abstract: 本发明公开了一种通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法。所述方法包括:(1)在Pt(111)表面桥位置处依次吸附对二氯苯、1,2,4,5‑四氯代苯或六氯代苯分子,利用DFT方法对吸附体系进行结构优化,得到稳定的化学吸附结构和物理吸附结构;(2)计算稳定吸附后不同体系的表面功函数变化量及肖特基势垒高度;(3)将吸附结构放在电路中,计算得到化学吸附和物理吸附的电流‑电压曲线,并得到二极管的整流比。本发明通过对苯分子氯代的方法实现有机分子在Pt(111)面上的双稳吸附,能够在同一体系中得到两个不同的界面吸附态,并基于两个吸附态不同的肖特基势垒高度及电流特性,设计得到可调控的肖特基二极管。

    通过表面修饰有效提高铜表面对丝氨酸分离能力的方法

    公开(公告)号:CN106748846A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611239711.X

    申请日:2016-12-28

    CPC classification number: C07C227/34 B01D15/08 C07C229/22

    Abstract: 本发明公开了一种能够有效提高金属表面对丝氨酸异构体区分能力的方法,步骤包括:从铜体相中得到纯净的Cu(531)表面;利用DFT计算方法对其结构进行优化得到其晶格常数;构建出手性分子丝氨酸,并对其进行结构优化;再将优化好的丝氨酸异构体分别放在优化好的Cu(531)面的多种不同位置上,分别对其结构进行优化;检查优化好的结果,找出能够稳定存在的结构;对左右手性的丝氨酸(L和D)在Cu(531)的吸附能做差ΔE,从而得到左右手性的丝氨酸在吸附能上的差别,差别越大其分离能力越好。本发明使用新颖而又精确的DFT计算方法,结合实验数据,通过对Cu(531)进行掺Ni的表面修饰使得双金属表面对丝氨酸异构体的区分能力比之纯的铜表面提高了36%。

    一种通过施加应变来调控半胱氨酸分子分离能力的方法

    公开(公告)号:CN109261126B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201810918758.1

    申请日:2018-08-13

    Abstract: 本发明公开了一种通过施加应变来调控半胱氨酸分子分离能力的方法,步骤包括:首先在Au晶胞中切出(532)表面,按照镜面对称原则构建左、右手性半胱氨酸分子,分别进行优化;在将优化后的半胱氨酸对映异构体分别吸附在优化后的Au(532)面,对总体系再进行结构优化,分别算出各体系的总能及确定最稳定的吸附构型;最后对Au(532)表面沿横向及纵向统一施加应变并优化结构,将左、右手性半胱氨酸分子吸附在施加应变后的基底上再进行结构优化并算出其总能;对不同应变条件下左、右手性半胱氨酸分子吸附体系的总能做差得到相应的ΔE。本发明通过对Au(532)表面施加应变来调控半胱氨酸异构体分离能力,当施加2%的拉应变时分离能力比纯金表面提高了33%。

    通过表面修饰有效提高铜表面对丝氨酸分离能力的方法

    公开(公告)号:CN106748846B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201611239711.X

    申请日:2016-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种能够有效提高金属表面对丝氨酸异构体区分能力的方法,步骤包括:从铜体相中得到纯净的Cu(531)表面;利用DFT计算方法对其结构进行优化得到其晶格常数;构建出手性分子丝氨酸,并对其进行结构优化;再将优化好的丝氨酸异构体分别放在优化好的Cu(531)面的多种不同位置上,分别对其结构进行优化;检查优化好的结果,找出能够稳定存在的结构;对左右手性的丝氨酸(L和D)在Cu(531)的吸附能做差ΔE,从而得到左右手性的丝氨酸在吸附能上的差别,差别越大其分离能力越好。本发明使用新颖而又精确的DFT计算方法,结合实验数据,通过对Cu(531)进行掺Ni的表面修饰使得双金属表面对丝氨酸异构体的区分能力比之纯的铜表面提高了36%。

    一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法

    公开(公告)号:CN106549104A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201610953554.2

    申请日:2016-10-27

    CPC classification number: H01L51/0579

    Abstract: 本发明公开了一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法,步骤包括:从铜体相中得到纯净的Cu(111)表面;利用DFT计算方法对其结构进行优化得到其晶格常数,并与实验值比较;构建出anthradithiophene(ADT)分子,并对其进行结构优化;再将优化好的ADT分子放在优化好的Cu(111)面的多种不同位置上,分别对其结构进行优化;检查优化好的结果,并且找出能够稳定存在的结构;单独计算吸附前优化好的ADT分子的禁带宽以及界面偶极得到其肖特基高度。本发明通过新颖而又精确的DFT计算方法,结合实验数据,使得设计出的肖特基二极管稳定性高,肖特基能垒低,且兼具物理和化学吸附的双重优点。

    一种镁耐腐蚀性能的预测方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117890288A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202211220968.6

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种镁耐腐蚀性能的预测方法。所述方法包括以下步骤:基于纯镁在水中的腐蚀模型,确定腐蚀电位U与背景电荷Q的关系;确定腐蚀电流密度i与背景电荷Q的关系;通过背景电荷Q,将腐蚀电位U与腐蚀电流密度i耦合,获得腐蚀过程的极化曲线。本发明建立的腐蚀模型,可以综合考虑ΔU与功函数对于腐蚀的影响,从而区分出不同晶面之间的耐蚀性差异。本发明通过拟合纯镁在水中腐蚀过程的极化曲线,分析出了其不同晶面之间的耐腐蚀性差异,能够实现在没有任何经验参数的情况下预测镁耐腐蚀性能,具有较高的有效性和准确性。

    一种通过表面应变控制自组装金属有机界面分子开关转变的方法

    公开(公告)号:CN110676382B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN201910862050.3

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种通过表面应变控制自组装金属有机界面分子开关转变的方法。包括:将吡嗪分子吸附于Cu(111)表面,获得稳定的物理吸附态和化学吸附态自组装结构;计算吡嗪分子在Cu(111)表面的吸附势能曲线,获得开关转变能垒;通过改变构建晶胞的尺寸,对Cu(111)表面分别施加拉应变和压应变,改变吡嗪分子在Cu(111)表面的物理吸附态和化学吸附态的相对稳定性;筛选出能够驱动吡嗪分子在物理吸附态和化学吸附态间发生转变的应变,并采用该应变实现对自组装分子开关转变的操控。本发明通过在表面施加应变的方法,能够无差别地改变金属表面上所有分子与衬底的交互作用,可以诱导金属表面所有分子在化学吸附态和物理吸附态间发生精准、可控、可逆的转变。

    一种计算缓蚀剂在金属表面的理论极化曲线的方法

    公开(公告)号:CN114676547A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202111513034.7

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明提出了一种计算缓蚀剂在金属表面的理论极化曲线的方法,从铁体相中得到纯净的Fe(110)表面,构建4×3×1的Fe(110)表面并进行结构优化得到稳定的Fe(110)表面;将缓蚀剂分子依次放在Fe(110)表面顶位置处,并对结构进行优化,得到稳定的吸附结构;在缓蚀剂分子上添加水分子层,并对结构进行优化,得到稳定的共吸附体系;计算共吸附体系的平面平均电子势能,得到体系的电极电位,以及共吸附体系的表面电荷信息;将共吸附体系作为阴极和阳极,模拟腐蚀过程中的阳极失电子与阴极得电子过程,计算体系在不同电荷状态下的电极电位,将得到的电极电位线性拟合,即得理论极化曲线。本发明能够较好的给出各种缓蚀剂在不同金属表面上的极化曲线。

    对金表面掺杂以增强对半胱氨酸分子分离能力的方法

    公开(公告)号:CN109107534B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201710483980.9

    申请日:2017-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种通过对金表面掺杂以增强对半胱氨酸分子分离能力的方法,步骤包括:从金体相中得到纯净的Au(532)表面,此外将Au(532)表面最上层原子替换为Ag并设该表面为Ag/Au(532)面,构建左、右手性半胱氨酸分子,对上述结构进行优化;分别将优化后的左、右手性半胱氨酸分子吸附在优化后的Au(532)面及Ag/Au(532)面上不同位置,对这些结构进行优化并找出各自最稳构型;对左、右手性半胱氨酸分子在Au(532)面吸附能及Ag/Au(532)面吸附能做差分别得到ΔE1和ΔE2;ΔE越大,左、右手性分子脱吸附顺序越明显分离能力越强。本发明使用精确的DFT计算方法及合理设计,通过对Au(532)表面掺杂Ag所获得的双金属表面对半胱氨酸异构体区分能力比纯金表面提高了45%。

Patent Agency Ranking