公开(公告)号：CN104851977A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510174922.9

申请日：2015-04-14

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张文超 ,  顾明苏 ,  叶家海 ,  秦志春 ,  田桂蓉

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0003

Abstract: 本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤：将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R1/Si含能芯片；将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n-1)次；将R2含能化合物溶解于DMF中，加入K2CO3，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si~R2的（n+1）层含能芯片。本发明是一种操作简单的湿化学方法，在温和条件下可制备具有高发火量、长发火时间的有机含能薄膜材料。

公开(公告)号：CN104851977B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510174922.9

申请日：2015-04-14

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张文超 ,  顾明苏 ,  叶家海 ,  秦志春 ,  田桂蓉

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤：将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R1/Si含能芯片；将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n‑1)次；将R2含能化合物溶解于DMF中，加入K2CO3，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si~R2 的（n+1）层含能芯片。本发明是一种操作简单的湿化学方法，在温和条件下可制备具有高发火量、长发火时间的有机含能薄膜材料。