基于四分之一和八分之一模基片集成波导平衡带通滤波器

    公开(公告)号:CN106571508B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201610993705.7

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H01P1/208

    摘要: 本发明公开了一种基于四分之一和八分之一模基片集成波导平衡带通滤波器,包括介质基片,介质基片的下金属层,介质基片的第一~四上金属层,以及两排金属化通孔;所述第一~四上金属层均为等腰直角三角形,且四个等腰直角三角形的直角相邻拼接为正方形;第一~二馈电微带线与第四上金属层的斜边相接;第三~四馈电微带线与第二上金属层的斜边相接;第一~四缝隙分别位于第一上金属层和第四上金属层、第一上金属层和第二上金属层、第二上金属层和第三上金属层、第三上金属层和第四上金属层的中间。本发明能实现差模信号的传输而且共模抑制性能好,同时因为采用基片集成波导腔体结构,缩减了体积、节省了成本,还兼具低损耗、高功率容量的特点。

    基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器

    公开(公告)号:CN106450611B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201610993714.6

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H01P1/203 H01P1/20

    摘要: 本发明公开了一种基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器,包括上层介质基片和下层介质基片,上层介质基片设置三个上金属层,下层介质基片设置三个下金属层,上、下层介质基片之间设置中间金属层;所述上层介质基片设置有两排金属化通孔,下层介质基片相应的位置设置两排金属化通孔;所述上金属层均为等腰直角三角形;两个差分馈电微带线设置于上层介质基片,且与中间的上金属层斜边相接;两个差分馈电微带线设置于下层介质基片,且与中间的下金属层斜边相接;所述中间金属层设置两个矩形的孔隙,以及两个扇形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性和优异的差模带外抑制性能,同时大大缩减了体积,兼具低损耗、高功率容量的特点。

    基于四分之一和八分之一模基片集成波导平衡带通滤波器

    公开(公告)号:CN106571508A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610993705.7

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H01P1/208

    CPC分类号: H01P1/2088

    摘要: 本发明公开了一种基于四分之一和八分之一模基片集成波导平衡带通滤波器,包括介质基片,介质基片的下金属层,介质基片的第一~四上金属层,以及两排金属化通孔;所述第一~四上金属层均为等腰直角三角形,且四个等腰直角三角形的直角相邻拼接为正方形;第一~二馈电微带线与第四上金属层的斜边相接;第三~四馈电微带线与第二上金属层的斜边相接;第一~四缝隙分别位于第一上金属层和第四上金属层、第一上金属层和第二上金属层、第二上金属层和第三上金属层、第三上金属层和第四上金属层的中间。本发明能实现差模信号的传输而且共模抑制性能好,同时因为采用基片集成波导腔体结构,缩减了体积、节省了成本,还兼具低损耗、高功率容量的特点。

    基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器

    公开(公告)号:CN106450611A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610993714.6

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H01P1/203 H01P1/20

    CPC分类号: H01P1/203 H01P1/20

    摘要: 本发明公开了一种基于基片集成波导的高频率选择性平衡带通滤波器,包括上层介质基片和下层介质基片,上层介质基片设置三个上金属层,下层介质基片设置三个下金属层,上、下层介质基片之间设置中间金属层;所述上层介质基片设置有两排金属化通孔,下层介质基片相应的位置设置两排金属化通孔;所述上金属层均为等腰直角三角形;两个差分馈电微带线设置于上层介质基片,且与中间的上金属层斜边相接;两个差分馈电微带线设置于下层介质基片,且与中间的下金属层斜边相接;所述中间金属层设置两个矩形的孔隙,以及两个扇形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性和优异的差模带外抑制性能,同时大大缩减了体积,兼具低损耗、高功率容量的特点。