激光直写技术制备多级结构微阵列的方法

    公开(公告)号:CN102096318B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110009205.2

    申请日:2011-01-17

    IPC分类号: G03F7/00 G03F7/30 G03F7/20

    摘要: 一种激光直写技术制备多级结构微阵列的方法,属于激光微加工领域。阵列制备过程中,平面几何结构由输入计算机的平面图形决定,分辨率取决于光路中的缩微镜头倍数和纳米电机的精度,可达到0.3μm;基于实验得出的曝光深度与曝光时间的关系,显影深度与显影时间的关系,通过曝光时间和显影时间的调控来控制加工尺寸的深度。本发明无需掩膜,也无需光刻制模,大大降低了阵列的制备成本,本发明具有制备多级结构的可行性,且效率高,适合于工业化生产普及。

    激光直写技术制备多级结构微阵列的方法

    公开(公告)号:CN102096318A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110009205.2

    申请日:2011-01-17

    IPC分类号: G03F7/00 G03F7/30 G03F7/20

    摘要: 一种激光直写技术制备多级结构微阵列的方法,属于激光微加工领域。阵列制备过程中,平面几何结构由输入计算机的平面图形决定,分辨率取决于光路中的缩微镜头倍数和纳米电机的精度,可达到0.3μm;基于实验得出的曝光深度与曝光时间的关系,显影深度与显影时间的关系,通过曝光时间和显影时间的调控来控制加工尺寸的深度。本发明无需掩膜,也无需光刻制模,大大降低了阵列的制备成本,本发明具有制备多级结构的可行性,且效率高,适合于工业化生产普及。