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公开(公告)号：CN114361313B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004743.0
申请日：2022-01-04
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于透过第二波长的激发荧光信号、并阻挡所述发射光信号，所述第二波长大于所述第一波长。本发明简化了荧光分析过程中的光路结构，并有助于提高荧光分析结果的准确度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114337818B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210008896.2
申请日：2022-01-05
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/556 , H04B10/66
摘要： 本发明涉及一种可见光数字音频通信装置。所述可见光数字音频通信装置包括电源单元、主控单元、FPGA信号处理单元、发送单元和接收单元；所述FPGA信号处理单元连接所述发送单元和所述接收单元，用于将第一音频数据信号进行2FSK调制处理后加载至所述发送单元，并用于将所述接收单元接收到的第二音频数据信号进行2FSK解调；所述发送单元包括线性稳压器、功率晶体管和发光二极管，所述线性稳压器用于将经2FSK调制处理后、且加载有所述第一音频数据信号的TTL电平转换为CMOS电平，所述功率晶体管将所述CMOS电平传输至所述发光二极管，驱动所述发光二极管发射第一光信号。本发明提高了可见光通信的传输速度，并实现了码元速率在250kbps‑2Mbps范围内可调。
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公开(公告)号：CN114361313A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004743.0
申请日：2022-01-04
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于透过第二波长的激发荧光信号、并阻挡所述发射光信号，所述第二波长大于所述第一波长。本发明简化了荧光分析过程中的光路结构，并有助于提高荧光分析结果的准确度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114337818A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210008896.2
申请日：2022-01-05
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/556 , H04B10/66
摘要： 本发明涉及一种可见光数字音频通信装置。所述可见光数字音频通信装置包括电源单元、主控单元、FPGA信号处理单元、发送单元和接收单元；所述FPGA信号处理单元连接所述发送单元和所述接收单元，用于将第一音频数据信号进行2FSK调制处理后加载至所述发送单元，并用于将所述接收单元接收到的第二音频数据信号进行2FSK解调；所述发送单元包括线性稳压器、功率晶体管和发光二极管，所述线性稳压器用于将经2FSK调制处理后、且加载有所述第一音频数据信号的TTL电平转换为CMOS电平，所述功率晶体管将所述CMOS电平传输至所述发光二极管，驱动所述发光二极管发射第一光信号。本发明提高了可见光通信的传输速度，并实现了码元速率在250kbps‑2Mbps范围内可调。
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