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公开(公告)号：CN114124100B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN117118432A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311154424.9
申请日：2023-09-07
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种快速锁定的低抖动锁相环，采用基于双环的电荷泵锁相环，利用辅助相位误差检测与相位差增益放大模块APD&At动态放大相位误差来加快频率的锁定速度，并通过控制分频比变化来调整参考时钟信号与反馈时钟信号在频率锁定的过程中保持相位误差最小化，具体包括鉴频鉴相器PFD、辅助相位误差检测与相位差增益放大模块APD&At、电压电流转换电路V‑I、分频器DIV、电流控制振荡器CCO和频率转电压模块F‑V；本发明能够在频率锁定的过程中保持参考时钟信号与反馈时钟信号的相位误差的最小化，并通过动态放大相位误差来加快频率的锁定速度；利用反馈来增加输出频率的范围，并减小PVT变化对相位噪声与抖动的性能影响。
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公开(公告)号：CN114124100A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN108462479B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810111955.2
申请日：2018-02-05
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于改进型Gm‑C的镜像抑制滤波器及其构建方法，包括偏置电路、若干级改进型Gm‑C滤波器，所述偏置电路分别与各级改进型Gm‑C滤波器相连接，各级改进型Gm‑C滤波器依次级联，形成与改进型Gm‑C滤波器数量相同阶数的镜像抑制滤波器，第一级改进型Gm‑C滤波器的输入端与输入信号端子相连接，最后一级改进型Gm‑C滤波器的输出端做为该镜像抑制滤波器的输出信号端子。本发明的基于改进型Gm‑C的镜像抑制滤波器及其构建方法，其采用跨导放大器和电容构建的改进型Gm‑C滤波器，对输入信号进行低通滤波和频率转移，经仿真结果表明，该滤波器有着较高的镜像抑制比，且功耗较低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107863387B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710896043.6
申请日：2017-09-27
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种横向功率器件的高压互连结构，它在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘体区域，利用该区域来调制高压互连线引起的表面电场分布，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力，提高了器件的性能。本发明可用于横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108462479A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810111955.2
申请日：2018-02-05
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于改进型Gm-C的镜像抑制滤波器及其构建方法，包括偏置电路、若干级改进型Gm-C滤波器，所述偏置电路分别与各级改进型Gm-C滤波器相连接，各级改进型Gm-C滤波器依次级联，形成与改进型Gm-C滤波器数量相同阶数的镜像抑制滤波器，第一级改进型Gm-C滤波器的输入端与输入信号端子相连接，最后一级改进型Gm-C滤波器的输出端做为该镜像抑制滤波器的输出信号端子。本发明的基于改进型Gm-C的镜像抑制滤波器及其构建方法，其采用跨导放大器和电容构建的改进型Gm-C滤波器，对输入信号进行低通滤波和频率转移，经仿真结果表明，该滤波器有着较高的镜像抑制比，且功耗较低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108054194A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN114112077B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111420630.0
申请日：2021-11-26
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种应用于大测温范围的温度传感器的SAR逻辑电路，温度传感器包括感温电路与SAR ADC电路，SAR逻辑电路是SAR ADC电路的组成部分；SAR逻辑电路包括3个TSPC寄存器阵列，寄存器阵列之间通过信号的传输相连接，寄存器阵列都由TSPC寄存器级联组成；TSPC寄存器结构包括TSPCR与电平恢复回路，能够改善信号的竞争问题，从而改善电路工作温度范围。本发明改善了SAR逻辑电路的工作温度范围，使工作温度范围扩大至‑150℃—200℃，应用于温度传感器时，能扩大温度传感器的测温范围。
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公开(公告)号：CN114112077A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111420630.0
申请日：2021-11-26
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种应用于大测温范围的温度传感器的SAR逻辑电路，温度传感器包括感温电路与SAR ADC电路，SAR逻辑电路是SAR ADC电路的组成部分；SAR逻辑电路包括3个TSPC寄存器阵列，寄存器阵列之间通过信号的传输相连接，寄存器阵列都由TSPC寄存器级联组成；TSPC寄存器结构包括TSPCR与电平恢复回路，能够改善信号的竞争问题，从而改善电路工作温度范围。本发明改善了SAR逻辑电路的工作温度范围，使工作温度范围扩大至‑150℃—200℃，应用于温度传感器时，能扩大温度传感器的测温范围。
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公开(公告)号：CN108054194B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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