公开(公告)号：CN108493098A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810341058.0

申请日：2018-04-17

申请人： 南京邮电大学

发明人： 孙华斌 ,  刘奥 ,  朱慧慧 ,  徐勇

IPC分类号： H01L21/16 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法，首先利用“溶胶凝胶法”制备超薄ZrO2高k介电薄膜代替传统SiO2作为p型TFT器件的栅介电层；然后采用相同溶液加工技术制备CuI半导体沟道层，紫外-可见光吸收能谱测试表明CuI薄膜具有极强的紫外吸收能力；最后通过热蒸发法制备源、漏电极，完成基于高k介电层的p型CuI/ZrO2薄膜晶体管的制备，制得的产物具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。