-
公开(公告)号：CN108376712B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810113409.2
申请日：2018-02-05
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/16 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管以碘化亚铜作为有源层，所述的碘化亚铜采用热蒸发法沉积，且在沉积后经惰性气体退火处理或水蒸气退火处理。所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管采用顶栅结构，包括衬底、设于衬底上的源/漏电极、设于源漏电极间的有源层、设于有源层上并将有源区完全覆盖的保护层、顶栅、以及设置于顶栅与保护层之间的绝缘层，该绝缘层完全覆盖保护层。本发明的器件及方法操作复杂度低，且薄膜质量高，很好的解决了传统方法难以两全的尴尬，适用于大范围的工业生产。
-
公开(公告)号：CN117766379A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311511387.2
申请日：2023-11-14
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L21/16 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/51
摘要： 本发明提出一种空气环境制备高性能的碘化亚铜沟道P型薄膜晶体管器件的制备方法。本发明方法制备的器件自下而上包括衬底、ITO(氧化铟锡)栅电极、壳聚糖栅极氧化层、碘化亚铜沟道层、金属源漏电极。本发明通过采用有机物壳聚糖为薄膜晶体管的栅极氧化层实现了对于空气中水汽的吸收，避免了常见的旋涂碘化亚铜溶液过程中沟道层颗粒凝聚进而导致不导电的情况，从而成功实现了碘化亚铜薄膜晶体管在空气环境下的制备，减少了该类型实验的实验成本，通过掺杂锌离子，锌离子占据铜空位，取代铜离子位点并产生额外的电子减少了沟道层中多余空穴浓度，提高了栅极对于沟道电流的调制能力，从而实现了高性能的薄膜晶体管器件。
-
公开(公告)号：CN110313056B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201880012560.5
申请日：2018-01-17
申请人： 莱尔德技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/16
摘要： 本申请涉及可压缩发泡热界面材料及其制备方法和使用方法。公开了可压缩发泡热界面材料的示例性实施方式。还公开了制备和使用可压缩发泡热界面材料的方法。
-
公开(公告)号：CN110313056A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012560.5
申请日：2018-01-17
申请人： 莱尔德技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/16
摘要： 公开了可压缩发泡热界面材料的示例性实施方式。还公开了制备和使用可压缩发泡热界面材料的方法。
-
公开(公告)号：CN108493098A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810341058.0
申请日：2018-04-17
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L21/16 , H01L29/786
摘要： 本发明公开了一种基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法，首先利用“溶胶凝胶法”制备超薄ZrO2高k介电薄膜代替传统SiO2作为p型TFT器件的栅介电层；然后采用相同溶液加工技术制备CuI半导体沟道层，紫外-可见光吸收能谱测试表明CuI薄膜具有极强的紫外吸收能力；最后通过热蒸发法制备源、漏电极，完成基于高k介电层的p型CuI/ZrO2薄膜晶体管的制备，制得的产物具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。
-
公开(公告)号：CN118516647A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410317937.5
申请日：2024-03-19
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/58 , C25D9/04 , C25D5/54 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02 , H01L21/16 , B05D7/24
摘要： 本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制造方法及太阳能电池的制造方法，涉及半导体薄膜制造技术领域，用于在基底上形成不含杂质或仅含有少量杂质的氧化亚铜薄膜，提高氧化亚铜薄膜的质量，扩大工艺窗口宽度。所述氧化亚铜的制造方法包括：首先，在基底上形成氧化铜薄膜。接下来，在真空环境或保护气体环境下，对氧化铜薄膜进行激光退火处理，以使氧化铜薄膜分解形成氧化亚铜薄膜。所述氧化亚铜薄膜的制造方法应用于太阳能电池的制造方法中。
-
公开(公告)号：CN108615769A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810517505.3
申请日：2018-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/16 , H01L29/423 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种氧化镓MOSFET器件的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括Ga2O3外延片，Ga2O3外延片自上而下依次为沟道层、缓冲层和衬底；采用溅射或蒸发工艺在外延片表面淀积一层多晶硅，并采用高温热氧化将多晶硅转化为SiO2薄膜层；在SiO2薄膜层上均匀覆盖光刻胶，采用干法或者湿法刻蚀的方式去除源区和漏区覆盖的SiO2薄膜层，并采用高温退火或者离子注入的方式在源区和漏区制备源极和漏极；采用金属蒸发剥离的方式制备栅极；在剩余的SiO2薄膜层及制备的栅极的表面生长一层钝化层。本发明提供的氧化镓MOSFET器件的制备方法，能够解决现有技术中存在的栅下介质生长温度低而制备的MOSFET器件不可靠的技术问题。
-
公开(公告)号：CN108376712A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810113409.2
申请日：2018-02-05
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/16 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管以碘化亚铜作为有源层，所述的碘化亚铜采用热蒸发法沉积，且在沉积后经惰性气体退火处理或水蒸气退火处理。所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管采用顶栅结构，包括衬底、设于衬底上的源/漏电极、设于源漏电极间的有源层、设于有源层上并将有源区完全覆盖的保护层、顶栅、以及设置于顶栅与保护层之间的绝缘层，该绝缘层完全覆盖保护层。本发明的器件及方法操作复杂度低，且薄膜质量高，很好的解决了传统方法难以两全的尴尬，适用于大范围的工业生产。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.133 秒)