公开(公告)号：CN112563302B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110222859.7

申请日：2021-03-01

申请人： 南京邮电大学

发明人： 张国刚 ,  金志远 ,  陈宇飞 ,  葛海涛 ,  王永进

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。

公开(公告)号：CN112563302A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202110222859.7

申请日：2021-03-01

申请人： 南京邮电大学

发明人： 张国刚 ,  金志远 ,  陈宇飞 ,  葛海涛 ,  王永进

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。