一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件

    公开(公告)号:CN108227054A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810151625.6

    申请日:2018-02-09

    IPC分类号: G02B5/00

    摘要: 本发明揭示了一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件,该场局域增强器件包括三层结构,即第一层结构、第二层结构和第三层结构,第一层结构、第二层结构和第三层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,圆锥形结构包括两部分,表面带有环状凹槽的上半部分和表面光滑的下半部分。上半部分位于圆锥形高度结构的1/2位置处,在圆锥形高度结构的1/2位置处沿第三层结构的外侧斜面往上构建有深度为d,周期为L,占空比为1:1的周期性环形凹槽。此结构可应用于超高密度集成光路,对实现纳米光子器件设计及其集成、新型光源、通信光纤的加工、微纳传感探测等领域具有十分重要的应用。

    一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件

    公开(公告)号:CN108227054B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN201810151625.6

    申请日:2018-02-09

    IPC分类号: G02B5/00

    摘要: 本发明揭示了一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件,该场局域增强器件包括三层结构,即第一层结构、第二层结构和第三层结构,第一层结构、第二层结构和第三层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,圆锥形结构包括两部分,表面带有环状凹槽的上半部分和表面光滑的下半部分。上半部分位于圆锥形高度结构的1/2位置处,在圆锥形高度结构的1/2位置处沿第三层结构的外侧斜面往上构建有深度为d,周期为L,占空比为1:1的周期性环形凹槽。此结构可应用于超高密度集成光路,对实现纳米光子器件设计及其集成、新型光源、通信光纤的加工、微纳传感探测等领域具有十分重要的应用。

    一种基于混合等离激元波导的场局域增强器件

    公开(公告)号:CN108445560B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201810140258.X

    申请日:2018-02-09

    IPC分类号: G02B5/00 G02B6/122 G02B6/126

    摘要: 本发明揭示了一种基于混合等离激元波导的场局域增强器件,该场局域增强器件包括三层结构,即第一层结构、第二层结构和第三层结构,第一层结构、第二层结构和第三层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,三层结构分别为高折射率介质、低折射率介质和贵金属,当径向偏振光从圆锥底端垂直进入结构时,该结构能够有效地降低损耗,使得更多的光能向顶端传播,在顶端汇集并且在圆锥顶点有很强的电场增强效应,实现了更强的聚焦性能。此结构可应用于超高密度集成光路,对实现纳米光子器件设计及其集成、新型光源、通信光纤的加工、微纳传感探测等领域具有十分重要的应用。

    一种低损耗带凹槽的圆锥形场局域增强器件

    公开(公告)号:CN108983333B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN201810948084.X

    申请日:2018-08-20

    IPC分类号: G02B5/00

    摘要: 本发明揭示了一种低损耗带凹槽的圆锥形场局域增强器件,该场局域增强器件包括四层结构,即第一层结构、第二层结构、第三层结构和第四层结构,第一层结构、第二层结构、第三层结构和第四层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,圆锥形结构包括两部分,表面带有环状凹槽的上半部分和表面光滑的下半部分。所述上半部分、下半部分各占圆锥形高度的1/2,在圆锥形高度的1/2位置处沿第四层结构的外侧斜面往上构建有深度为d,周期为L,占空比为5:12的周期性环形凹槽。本发明结构紧凑、简单且易设计,材料获取容易,制备易实现,便于光子集成,因此可应用于超分辨率成像、单分子检测、光学数据存储、微纳传感探测和近场光学等领域。

    一种低损耗带凹槽的圆锥形场局域增强器件

    公开(公告)号:CN108983333A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810948084.X

    申请日:2018-08-20

    IPC分类号: G02B5/00

    摘要: 本发明揭示了一种低损耗带凹槽的圆锥形场局域增强器件,该场局域增强器件包括四层结构,即第一层结构、第二层结构、第三层结构和第四层结构,第一层结构、第二层结构、第三层结构和第四层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,圆锥形结构包括两部分,表面带有环状凹槽的上半部分和表面光滑的下半部分。所述上半部分、下半部分各占圆锥形高度的1/2,在圆锥形高度的1/2位置处沿第四层结构的外侧斜面往上构建有深度为d,周期为L,占空比为5:12的周期性环形凹槽。本发明结构紧凑、简单且易设计,材料获取容易,制备易实现,便于光子集成,因此可应用于超分辨率成像、单分子检测、光学数据存储、微纳传感探测和近场光学等领域。

    一种场局域增强器件
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207882473U

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201820243834.9

    申请日:2018-02-09

    IPC分类号: G02B5/00 G02B6/122 G02B6/126

    摘要: 本实用新型揭示了一种场局域增强器件,该场局域增强器件包括三层结构,即第一层结构、第二层结构和第三层结构,第一层结构、第二层结构和第三层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,三层结构分别为高折射率介质、低折射率介质和贵金属,当径向偏振光从圆锥底端垂直进入结构时,该结构能够有效地降低损耗,使得更多的光能向顶端传播,在顶端汇集并且在圆锥顶点有很强的电场增强效应,实现了更强的聚焦性能。此结构可应用于超高密度集成光路,对实现纳米光子器件设计及其集成、新型光源、通信光纤的加工、微纳传感探测等领域具有十分重要的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件

    公开(公告)号:CN207882474U

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201820244108.9

    申请日:2018-02-09

    IPC分类号: G02B5/00

    摘要: 本实用新型揭示了一种表面构建环形凹槽的场局域增强器件,该场局域增强器件包括三层结构,即第一层结构、第二层结构和第三层结构,第一层结构、第二层结构和第三层结构由内向外逐层构成一同轴圆锥形结构,圆锥形结构包括两部分,表面带有环状凹槽的上半部分和表面光滑的下半部分。上半部分位于圆锥形高度结构的1/2位置处,在圆锥形高度结构的1/2位置处沿第三层结构的外侧斜面往上构建有深度为d,周期为L,占空比为1:1的周期性环形凹槽。此结构可应用于超高密度集成光路,对实现纳米光子器件设计及其集成、新型光源、通信光纤的加工、微纳传感探测等领域具有十分重要的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利