具有最小等离子体损耗的OLED

    公开(公告)号:CN109786572B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201811362321.0

    申请日:2018-11-15

    摘要: 本申请案涉及具有最小等离子体损耗的OLED。一种顶部发光有机发光器件OLED,其包含:具有内侧和外侧的衬底;OLED主体,所述OLED主体按次序包括靠近所述衬底的所述内侧的透明底部电极、有机发光层和透明顶部电极;非金属漫反射层,所述非金属漫反射层具有邻近并且面向所述底部透明电极的粗糙化顶表面;以及高折射率波导层。所述漫反射层位于所述衬底的所述内侧和所述OLED主体之间,且所述波导层位于所述漫射层和所述底部透明电极之间。

    具有最小等离子体损耗的OLED
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109786572A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811362321.0

    申请日:2018-11-15

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本申请案涉及具有最小等离子体损耗的OLED。一种顶部发光有机发光器件OLED,其包含:具有内侧和外侧的衬底;OLED主体,所述OLED主体按次序包括靠近所述衬底的所述内侧的透明底部电极、有机发光层和透明顶部电极;非金属漫反射层,所述非金属漫反射层具有邻近并且面向所述底部透明电极的粗糙化顶表面;以及高折射率波导层。所述漫反射层位于所述衬底的所述内侧和所述OLED主体之间,且所述波导层位于所述漫射层和所述底部透明电极之间。