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公开(公告)号：CN112091418A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010945697.5
申请日：2020-09-10
申请人： 南开大学
IPC分类号： B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/122 , B23K26/14 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种宽禁带半导体表面深亚波长周期性条纹的制备方法。其是通过在宽禁带半导体材料表面预镀金属膜的方式辅助飞秒激光加工在辐照区域形成深亚波长周期条纹结构。利用金属/宽禁带半导体的复合结构，在飞秒激光辐照过程中，可以大大增强材料对入射光能量的吸收，提高飞秒激光与宽禁带材料的相互作用效率。该方法降低材料烧蚀阈值效果明显，形成的深亚波长条纹周期精细。本发明还具有工艺简单、适用性广、灵活性强等优点。通过对飞秒激光能流、脉冲数、加工区域图案设计可以实现宽禁带半导体上不同形状及不同空间周期的深亚波长条纹。
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公开(公告)号：CN112054086B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010945696.0
申请日：2020-09-10
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352
摘要： 本发明涉及一种横向结硅基光电探测器的制备方法，通过脉冲激光制备出的黑硅表面与未加工硅区域之间的载流子导电类型或浓度差异形成横向pn结或异质结，并经由后继退火，钝化，光刻，电极制备等工艺，可形成具有横向结的黑硅光电探测器。该横向结硅基光电探测器在反偏电压下，可高效吸收光子产生电子‑空穴对，并在外电场作用下沿横向迁移，最终形成横向光电流，从而实现光信号探测。本发明具有工艺简单，原材料易获取，易操控，与现有半导体器件工艺兼容等优点，本发明所制备的横向结硅基光电探测器与传统纵向结构探测器相比，一方面有效抑制了暗电流，提高了器件的探测率，另一方面精简了器件的制备流程，更利于器件的制备与集成。
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公开(公告)号：CN112054086A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010945696.0
申请日：2020-09-10
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352
摘要： 本发明涉及一种横向结硅基光电探测器的制备方法，通过脉冲激光制备出的黑硅表面与未加工硅区域之间的载流子导电类型或浓度差异形成横向pn结或异质结，并经由后继退火，钝化，光刻，电极制备等工艺，可形成具有横向结的黑硅光电探测器。该横向结硅基光电探测器在反偏电压下，可高效吸收光子产生电子‑空穴对，并在外电场作用下沿横向迁移，最终形成横向光电流，从而实现光信号探测。本发明具有工艺简单，原材料易获取，易操控，与现有半导体器件工艺兼容等优点，本发明所制备的横向结硅基光电探测器与传统纵向结构探测器相比，一方面有效抑制了暗电流，提高了器件的探测率，另一方面精简了器件的制备流程，更利于器件的制备与集成。
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公开(公告)号：CN116239141A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310224534.1
申请日：2023-03-09
申请人： 南开大学
IPC分类号： C01G9/02
摘要： 本发明提供一种快速、高效、高浓度氟掺杂氧化锌的制备方法，该方法包括以下步骤：将氧化锌样品放入真空腔的三维平移台上；腔内通入掺杂气体；利用飞秒激光辐照样品表面，实现高浓度氟掺杂；对掺杂后的氧化锌样品进行退火处理，用以激活材料中的氟杂质原子，同时修复晶格，消除缺陷，便得到高浓度氟掺杂氧化锌；经过上述步骤处理后的氧化锌，其杂质掺杂浓度很高，氟的相对原子比能达到9at.％以上。该方法快速、高效、不需要复杂的化学反应就能实现高浓度氟掺杂的氧化锌的制备，通过掺入非金属元素大大降低了导带中的电子散射，从而提高了载流子迁移率和光学透过率，可以有效提高氧化锌基器件的电流承载能力，降低器件功耗。
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