公开(公告)号：CN117255596A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311161580.8

申请日：2023-09-11

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  王三龙 ,  孙宏瑞 ,  王鹏阳 ,  赵颖

IPC分类号： H10K71/00 ,  H10K71/40 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/86

摘要： 一种P‑型EDTA‑N材料的制备方法及其在反式无机钙钛矿太阳电池上的应用。将常见的n型的EDTA改性为P‑型的EDTA‑N材料，作为NiOx修饰层应用在反式无机钙钛矿太阳电池中，形成了由P‑到P+的场增强结构，解决了反式结构无机钙钛矿太阳电池中NiOx与钙钛矿光吸收材料之间能级位置不匹配以及电子和空穴抽取不平衡的问题。其中EDTA‑N层制备方法如下：采用离子交换法制得EDTA‑N溶液，将制备得到的EDTA‑N溶液旋涂在NiO材料的半导体特性为x薄膜上作为NiOx和钙钛矿的P‑型，制备工艺简单PI界面中间层，用在。本发明NiOx和钙钛矿EDTA‑N之间，可以改善无机钙钛矿与NiOx之间价带能级位置不匹配问题，增强对空穴的抽取能力，实现载流子的抽取平衡，提高反式无机钙钛矿太阳电池的开路电压和光电转换效率。