公开(公告)号：CN113571649B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202110754128.7

申请日：2021-07-05

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  张佳莉 ,  李仁杰 ,  王鹏阳 ,  石标 ,  赵颖

IPC分类号： H10K71/00 ,  H10K30/85 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50

摘要： 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN116234335A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310384262.1

申请日：2023-04-11

申请人： 中国长江三峡集团有限公司 ,  南开大学

发明人： 杨静 ,  刘冬雪 ,  张晓丹 ,  孙天歌 ,  董一昕 ,  贡永帅 ,  张佳莉

IPC分类号： H10K30/85 ,  H10K71/10 ,  H10K71/12 ,  H10K30/50

摘要： 本发明涉及光伏和半导体器件制造技术领域，具体提供了一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池。该种双层电子传输层，包括二氧化锡层和式(I)所示结构的羧酸亚锡层；其中，R为正辛基或者异辛基。式(I)所示结构的羧酸亚锡可以形成n型半导体，对SnO2进行修饰后可以改善电子传输层的能级排列，实现更快地电子抽取，从而减少电子在界面处的复合，提升器件性能，并且减轻迟滞现象。

公开(公告)号：CN113571649A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110754128.7

申请日：2021-07-05

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  张佳莉 ,  李仁杰 ,  王鹏阳 ,  石标 ,  赵颖

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

摘要： 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。