-
公开(公告)号：CN118946254A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411008437.X
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明为一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、半导体层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述半导体为宽度可调的石墨烯纳米带阵列。本发明可以有效调控石墨烯的带隙，使其在应用中表现出不同的电学特性，克服了石墨烯零带隙的固有局限，促进了石墨烯纳米带在神经形态电子领域的实际应用，丰富了石墨烯材料的应用领域，可以得到可塑性调节范围较大的石墨烯纳米带基人工突触器件。
-
公开(公告)号：CN118946255A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411008597.4
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯/全氟酞菁铜的突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、功能层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述功能层为石墨烯/全氟酞菁铜薄膜，厚度为2.5～25nm；其中，石墨烯薄膜厚度为0.5～5nm，全氟酞菁铜薄膜厚度为2～20nm。本发明制备的石墨烯/全氟酞菁铜突触晶体管，通过切换栅极施加的突触前脉冲刺激的正负极性，改变沟道中传输的载流子类型(电子或空穴)，可以实现短程/长程可塑性的快速切换。
-
公开(公告)号：CN118475225A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410543943.2
申请日：2024-05-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种石墨炔基手性异构纳流体忆阻器及其制备方法。所述纳流体忆阻器的结构包括两个Ag/AgCl电极、负载有手性石墨炔的三维笼式框架以及氯化钠/色氨酸水溶液池；其中，所述的三维笼式框架为3D打印的三维结构；所述的手性石墨炔负载在三维笼式框架上；所述的两端电极为两个氯化银Ag/AgCl电极；所述的氯化钠/色氨酸水溶液池中的溶液为含有氯化钠和待测的色氨酸的溶液。本发明成功制备了可在液态环境中稳定工作并具有高响应速度(0.5ms/尖峰)的石墨炔基手性异构纳流体忆阻器。
-
公开(公告)号：CN118465033A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410543941.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于石墨炔的湿度传感器及其制备方法。该传感器件的结构自下而上分别为衬底、功能层和叉指电极；所述功能层为石墨炔薄膜；石墨炔薄膜的大小为0.5×0.5～1×1cm，厚度为70～100nm。本发明通过引入具有湿度响应的石墨炔薄膜，利用石墨炔易于吸附水分子以及快速转移电荷的能力，制备得到响应速度显著提升的石墨炔湿度传感器，响应时间和恢复时间分别为0.101s和0.051s，并且在快速响应的同时，还具有较高的灵敏度(2328％)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.053 seconds)
