公开(公告)号：CN106992174B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201710033672.6

申请日：2017-01-18

申请人： 南方科技大学

发明人： 许宗祥 ,  单海权

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43

摘要： 本发明公开了晶体管存储器。该晶体管存储器包括：门电极层；阻隔介电层，所述阻隔介电层位于所述门电极层上；纳米浮动栅层，所述纳米浮动栅层位于所述阻隔介电层上，所述纳米浮动栅层是由金属纳米颗粒构成的；隧穿介电层，所述隧穿介电层位于所述纳米浮动栅层上；源极层，所述源极层位于所述隧穿介电层上；漏极层，所述漏极层位于所述隧穿介电层上；以及活性材料层，所述活性材料层位于所述隧穿介电层上，且设置在所述源极层和所述漏极层之间。该晶体管存储器能够通过改变纳米颗粒的大小和密度改变存储电荷的层次和位置，并且钠米浮动栅层中分散的纳米颗粒能阻隔相邻存储器之间的漏电现象，可靠性高，适于工业应用。

公开(公告)号：CN106992174A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710033672.6

申请日：2017-01-18

申请人： 南方科技大学

发明人： 许宗祥 ,  单海权

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/43

摘要： 本发明公开了晶体管存储器。该晶体管存储器包括：门电极层；阻隔介电层，所述阻隔介电层位于所述门电极层上；纳米浮动栅层，所述纳米浮动栅层位于所述阻隔介电层上，所述纳米浮动栅层是由金属纳米颗粒构成的；隧穿介电层，所述隧穿介电层位于所述纳米浮动栅层上；源极层，所述源极层位于所述隧穿介电层上；漏极层，所述漏极层位于所述隧穿介电层上；以及活性材料层，所述活性材料层位于所述隧穿介电层上，且设置在所述源极层和所述漏极层之间。该晶体管存储器能够通过改变纳米颗粒的大小和密度改变存储电荷的层次和位置，并且钠米浮动栅层中分散的纳米颗粒能阻隔相邻存储器之间的漏电现象，可靠性高，适于工业应用。