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公开(公告)号：CN108615892A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810409972.4
申请日：2018-05-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01M4/64 , H01M4/66 , H01M4/78 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的改性集流体，该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层，所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底，通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。
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公开(公告)号：CN108574083A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810409577.6
申请日：2018-05-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/72 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的锂片、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的锂片，该锂片具有凹陷结构，比如具有凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳结构的凹坑和/或凹槽。通过采用该特定结构的锂片作为负极可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用纳米压印技术，特别是卷对卷纳米压印锂金属电池负极，可以实现大规模工业化量产；本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。
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公开(公告)号：CN108615892B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810409972.4
申请日：2018-05-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01M4/64 , H01M4/66 , H01M4/78 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的改性集流体，该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层，所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底，通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。
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公开(公告)号：CN108615893A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810410007.9
申请日：2018-05-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01M4/64 , H01M4/78 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的集流体，该集流体为具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳结构的凹坑和/或凹槽)的铜片，通过采用该特定结构的集流体制备负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。
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