公开(公告)号：CN112103365A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011264394.3

申请日：2020-11-13

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 李俊承 ,  米万里 ,  孙志泉 ,  杨文斐 ,  吴洪清 ,  徐培强 ,  张银桥 ,  王向武 ,  潘彬

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池，其中，制作三结太阳电池的方法包括以下步骤：首先GaSb电池以及InGaP子电池与GaAs子电池，采用外延生长技术在GaSb衬底上外延生长GaSb电池结构，采用倒置生长技术在GaAs衬底上一次外延出InGaP子电池、GaAs子电池结构；而后在两种外延片上，沉积ITO导电薄膜；之后对ITO导电薄膜表面进行抛光；而后将两种外延片进行键合；键合完成即可将GaAs衬底从外延层上剥离；而后进行芯片制作工艺，制作上下电机、减反射膜，并通过划片形成单体电池。本发明公开的制作三结太阳电池的方法具有制作良率高、成本低的优点，并且制成的电池可以对长波段的太阳光谱进行良好吸收的优点。

公开(公告)号：CN112071961A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202011265859.7

申请日：2020-11-13

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 李俊承 ,  米万里 ,  孙志泉 ,  杨文斐 ,  徐培强 ,  吴洪清 ,  张银桥 ,  王向武 ,  潘彬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0735

Abstract: 本发明公开了一种电池基板减薄方法及电池，属于太阳电池技术领域，其中电池基板减薄技术包括以下步骤：首先通过在锗基板上制作正面电极与减反射膜，而后采用临时键合技术，将锗基板键合至临时基板上，而后对锗基板上无正面电极的面进行减薄、抛光；然后对减薄面采用溶液做进一步抛光，抛光完后对减薄面进行背面电极蒸镀，而后将背面电极蒸镀至减薄面上；而后通过解键合，将相互连接的锗基板与临时基板进行分离；而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割，得到单体电池。本发明公开的电池基板减薄方法具有能够大幅降低电池重量的优点，并且可以保证制造的良率，采用本发明公开的技术制成的电池具有轻质高效的优点。

公开(公告)号：CN112018216A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202011187739.X

申请日：2020-10-30

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 吴洪清 ,  米万里 ,  李俊承 ,  杨文斐 ,  孙志泉

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池衬底的转移方法，包括以下步骤，S1、电池结构生长，S2、电池外延层、柔性衬底的表面进行金属键合层蒸镀，S3、临时衬底制作，S4、临时衬底键合层蒸镀，S5、衬底转移，S6、衬底去除，S7、器件制作，S8、退火，S9、临时衬底转移，S10、划片、测试。本发明工艺简单，操作方便，不仅能有效地解决薄膜电池剥离后临时键合胶粘结不牢问题，带胶清洁困难，带胶不易合金退火问题，柔性衬底与外延层膨胀系数不匹配，而引起的电池表面鼓泡、失效的问题，并且能够降低电池成本，提高了该电池的良品率。