公开(公告)号：CN116463718A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310480473.5

申请日：2023-04-28

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 全知觉 ,  徐恒 ,  曹盛 ,  佟金山 ,  罗成 ,  汤绘华

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  C23C14/50 ,  C23C14/32

摘要： 本发明公开一种金属调制外延的设备及其制备氮化物薄膜的方法，该设备包括真空腔室、容性耦合等离子体源、束源炉、样品台、旋转装置、真空泵，其特征在于：样品台在空间上做公转运动，所述样品台公转轨迹在空间上形成一圆环；所述容性耦合等离子体源提供覆盖整个样品台公转轨迹的等离子体区，所述束源炉提供覆盖部分样品台公转轨迹的金属蒸发区。该设备的作用为：通过样品台的公转实现生长速率、金属蒸发时间占比可调的金属调制外延，除了拥有传统金属调制外延方法中降低薄膜的生长温度、抑制铟镓氮合金中的相分离的效果外，本发明还拥有更高的生长速率、更高的产能的优势。