-
公开(公告)号：CN117832058A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311774116.6
申请日：2023-12-22
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法：采用化学法对单晶硅衬底进行预清洗及钝化：将硅衬底放入预先烘烤的真空腔室内，通入气体，利用真空腔室内的射频等离子体源对气体进行离化生成等离子体，等离子体对硅衬底进行物理和化学刻蚀；通入氮源气体，通过射频等离子体源将氮源气体激发为氮等离子体，氮等离子体与硅衬底进行预结合；启动真空腔室内的金属束源炉，将金属原子束流直接喷射到处理后获得的硅衬底上，金属原子束流在硅衬底表面与氮等离子体发生反应；硅衬底旋转周期性地依次通过束源炉和射频等离子体源上方，进行低温氮化物薄膜的逐层沉积。通过精确控制各工艺参数，获得的氮化物薄膜表面平整、无孔洞或突起缺陷，实现了原子级平整度氮化物薄膜的低温生长。
-
公开(公告)号：CN117772714B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
-
公开(公告)号：CN117802579A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410006769.8
申请日：2024-01-03
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供了一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置，包括MOCVD反应室腔体，腔体内设有石墨载片盘，石墨载片盘下方有分区发热的电阻炉发热体，用于给石墨载片盘加热；反应室腔体的圆心位置安装有高精度红外温度计来测量石墨载片盘中心的温度绝对值；反应室腔体的侧壁上安装有红外热像仪，红外热像仪与石墨载片盘法向夹角为θ，40°＜θ＜80°，红外热像仪通过反应室腔体的侧壁上的光学视窗监测整个石墨载片盘的温度相对值；高精度红外温度计测量的温度绝对值数据和红外热像仪将监测的温度相对值数据传输至上位机，上位机处理数据并运行温度调控程序驱动功率控制装置来实时调控对应区域的电阻炉发热体的发热功率，实现对石墨载片盘温度均匀性的调控。
-
公开(公告)号：CN116463718A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310480473.5
申请日：2023-04-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开一种金属调制外延的设备及其制备氮化物薄膜的方法，该设备包括真空腔室、容性耦合等离子体源、束源炉、样品台、旋转装置、真空泵，其特征在于：样品台在空间上做公转运动，所述样品台公转轨迹在空间上形成一圆环；所述容性耦合等离子体源提供覆盖整个样品台公转轨迹的等离子体区，所述束源炉提供覆盖部分样品台公转轨迹的金属蒸发区。该设备的作用为：通过样品台的公转实现生长速率、金属蒸发时间占比可调的金属调制外延，除了拥有传统金属调制外延方法中降低薄膜的生长温度、抑制铟镓氮合金中的相分离的效果外，本发明还拥有更高的生长速率、更高的产能的优势。
-
公开(公告)号：CN117702077A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311571692.0
申请日：2023-11-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/458
摘要： 本发明提供一种用于MOCVD设备的衬体载盘旋转驱动装置。在MOCVD真空反应腔内通过内转子轴承安装有旋转支撑件，MOCVD真空反应腔外相应位置设有外电磁线圈；旋转支撑件上方连接支撑衬体载盘，旋转支撑件下方镶嵌有磁性材料镶嵌块，磁性材料镶嵌块与外电磁线圈产生驱动力耦合。本发明将驱动电机和MOCVD真空反应腔集成为一体，采用电磁直驱方式驱动MOCVD衬体载盘转动，缩短系统传动链，提升了系统动态特性，实现近零传动。
-
公开(公告)号：CN117772714A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
-
公开(公告)号：CN117587379A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311585344.9
申请日：2023-11-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置。该装置通过设置气体屏蔽分流罩，在分流罩上开设规律分布的通气孔；利用通气孔通气面积及其分布的变化，调节气体通路各处的流导，从而促使MOCVD反应腔内气体在外延衬体表面流动时形成更为均匀稳定的层流，最终助力于MOCVD薄膜生长均匀性的提升。另外该气体屏蔽分流罩兼具热屏蔽功能，可以降低MOCVD反应腔内的温度梯度，同时可以减少MOCVD反应腔的热损耗，实现节能降耗。
-
公开(公告)号：CN107006747B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710262032.2
申请日：2017-04-20
申请人： 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种双乳杆菌共发酵产乙醛脱氢酶的醒酒护肝山楂饮料的制备方法，它以山楂为原料，经过榨汁、生物酶解澄清后，然后通过控制嗜酸乳杆菌和植物乳杆菌的比例、发酵温度和时间，进行双乳杆菌复合发酵，得到一种营养丰富、风味和口感独特的新型发酵山楂醒酒护肝饮料。不仅保留了山楂原有的功效，还增加了乳酸菌活菌含量大于106个/mL，含乳酸大于0.5％、含乙醛脱氢酶大于2U/100mL，其醒酒护肝的效果，赋予其独特的风味。本饮品具有醒酒护肝防醉的作用，饮酒前或饮酒中饮用，能有效增加对酒精的耐受量，酒后饮用可以缓解甚至消除酒醉症状，并对酒精中毒患者有良好的醒酒护肝作用。
-
公开(公告)号：CN110694764A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910993751.0
申请日：2019-10-18
申请人： 南昌大学
发明人： 罗成
IPC分类号： B02C18/18
摘要： 本发明涉及一种用于餐厨垃圾处理机的剪切式研磨刀盘。目前处理高纤维类厨余(如茭白壳)的时候，处理效率低，处理后的纤维过长、纤维成团缠住刀盘，甚至堵塞出口和管道等情况较为常见。本发明涉及一种用于餐厨垃圾处理机的剪切式研磨刀盘，其中：撕裂刃、破碎柱固定于活动盘上，活动盘通过其中心的方孔和电机轴相连接，固定盘通过其外侧面的固定齿，安装于研磨腔内侧壁面的安装槽内，同时活动盘的下表面和固定盘的上表面相贴合。本装置的优点在于：初步破碎后的厨余垃圾，在穿过两个盘的孔洞形成的通道时被不断剪断，电机的转速高达数千转每分钟，而厨余垃圾穿过活动盘和固定盘表面孔洞的速度有限，最终可获得尺度很小的厨余垃圾处理物。
-
公开(公告)号：CN107927743A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711090537.1
申请日：2017-11-08
申请人： 南昌大学
IPC分类号： A23L33/00
CPC分类号： A23L33/00 , A23V2002/00 , A23V2200/32 , A23V2200/324 , A23V2200/334
摘要： 本发明涉及食品保健领域，尤其涉及一种发酵葛根汁获得的醒酒酵素的制备方法。以葛根为原料，加入淀粉酶经蒸煮糊化液化后，然后通过控制植物乳杆菌FCJX 102(lactobacillus plantarum FCJX 102)的接种量，在不同的发酵温度和时间下，得到具有独特风味的醒酒酵素。本发明优点在于：(1)营养成分丰富，具有独特的风味，克服了中草药原有的口感苦涩、气味刺鼻的弱点；(2)在一定程度上调节胃肠道正常菌群、维持微生态平衡，改善胃肠道的功能，提高机体免疫力；(3)乙醛脱氢酶含量高，具有更好的醒酒护肝的效果；(4)步骤简单，操作灵活，省时省力，保质期时间长，极大程度上减少企业加工生产中资源的浪费，提高企业市场竞争力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.067 秒)
