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发明公开
一种用于分子束外延设备的等离子体发生装置审中-实审

公开(公告)号：CN116641042A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310506944.5

申请日：2023-05-08

申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 曹盛 , 谢玮 , 全知觉

IPC分类号： C23C16/50

摘要： 本发明为一种用于分子束外延设备的等离子体发生装置，包括：气体离化腔、气体离化装置、加热装置；其中，气体离化装置、加热装置设置在气体离化腔内；气体离化腔设置在分子束外延设备的反应腔体内，且与分子束外延设备的反应腔体相连通；气体离化装置为电容耦合等离子体源，包括接地的上极板和连接射频电源的下极板；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；气体离化腔将等离子体产生区包围，减少等离子体向分子束外延设备的反应腔体逸散；加热装置加热气体离化腔，使得气体离化腔的温度和气压均高于分子束外延设备反应腔体的温度和气压。本发明的等离子发生装置具有屏蔽性好、等离子体浓度高、均匀性佳等优点。