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公开(公告)号：CN117832058A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311774116.6
申请日：2023-12-22
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法：采用化学法对单晶硅衬底进行预清洗及钝化：将硅衬底放入预先烘烤的真空腔室内，通入气体，利用真空腔室内的射频等离子体源对气体进行离化生成等离子体，等离子体对硅衬底进行物理和化学刻蚀；通入氮源气体，通过射频等离子体源将氮源气体激发为氮等离子体，氮等离子体与硅衬底进行预结合；启动真空腔室内的金属束源炉，将金属原子束流直接喷射到处理后获得的硅衬底上，金属原子束流在硅衬底表面与氮等离子体发生反应；硅衬底旋转周期性地依次通过束源炉和射频等离子体源上方，进行低温氮化物薄膜的逐层沉积。通过精确控制各工艺参数，获得的氮化物薄膜表面平整、无孔洞或突起缺陷，实现了原子级平整度氮化物薄膜的低温生长。
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公开(公告)号：CN117772714B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
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公开(公告)号：CN117802579A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410006769.8
申请日：2024-01-03
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供了一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置，包括MOCVD反应室腔体，腔体内设有石墨载片盘，石墨载片盘下方有分区发热的电阻炉发热体，用于给石墨载片盘加热；反应室腔体的圆心位置安装有高精度红外温度计来测量石墨载片盘中心的温度绝对值；反应室腔体的侧壁上安装有红外热像仪，红外热像仪与石墨载片盘法向夹角为θ，40°＜θ＜80°，红外热像仪通过反应室腔体的侧壁上的光学视窗监测整个石墨载片盘的温度相对值；高精度红外温度计测量的温度绝对值数据和红外热像仪将监测的温度相对值数据传输至上位机，上位机处理数据并运行温度调控程序驱动功率控制装置来实时调控对应区域的电阻炉发热体的发热功率，实现对石墨载片盘温度均匀性的调控。
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公开(公告)号：CN117772714A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
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